[发明专利]硅通孔的射频测试结构及寄生提取方法

权利要求书

1.一种硅通孔的射频测试结构，其特征在于：射频测试结构由测试结构一和开路去嵌结构二组成；

所述测试结构一包括端口一和端口二，所述端口一和所述端口二都分别由一个地-信号-地焊盘组成，所述端口一的信号端和两个地端的距离大于等于150微米，所述端口二一的信号端和两个地端的距离大于等于150微米；所述端口一的信号端和所述端口二的信号端通过顶层金属一短路连接，被测试硅通孔设置于所述端口一的信号端和所述端口二的信号端之间，所述被测试硅通孔的顶部和所述顶层金属一连接、所述被测试硅通孔的底部和形成于硅片背面的背面金属二连接；所述端口一和所述端口二的各所述地端都分别通过一接地硅通孔阵列和所述背面金属二相连；

所述开路去嵌结构二和所述测试结构一去除了所述顶层金属一和所述被测试硅通孔后的结构相同。

2.如权利要求1所述的硅通孔的射频测试结构，其特征在于：所述接地硅通孔阵列的面积至少为所述被测试硅通孔的面积的两倍。

3.如权利要求1所述的硅通孔的射频测试结构，其特征在于：所述接地硅通孔阵列和所述被测试硅通孔之间的距离为200微米以上。

4.如权利要求1所述的硅通孔的射频测试结构，其特征在于：所述背面金属二为一块状结构。

5.如权利要求1所述的硅通孔的射频测试结构的寄生提取方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、测试所述测试结构一的端口一和端口二之间的散射参数一，并将该散射参数一转化为导纳参数一；

步骤二、测试所述开路去嵌结构二的端口一和端口二之间的散射参数二，并将该散射参数二转化为导纳参数二；

步骤三、将所述导纳参数一减去所述导纳参数二得到开路去嵌后导纳参数三，将所述导纳参数三转换为阻抗参数，由所述阻抗参数的实部得到所述被测试硅通孔的寄生电阻、由所述阻抗参数的虚部得到所述被测试硅通孔的寄生电感。