[发明专利]紫外半导体发光器件

权利要求书

1.一种紫外发光器件，包括：

第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层下方的有源层；

在所述有源层下方的第一反射层；以及

在所述第一反射层下方的第二导电半导体层，

其中所述第一反射层包括多个第一层和多个第二层，

其中所述第一层和第二层包括具有不同的Al组成的至少两种化合物半导体，

其中所述至少两种化合物半导体的含量彼此不同，

其中所述第一反射层的最下层和最上层具有两个具有相同物质含量的第一层，

其中所述第一反射层的所述最下层接触所述第二导电半导体层，并且所述第一反射层的所述最上层接触所述有源层，以及

其中所述第一反射层的最下层与所述有源层的最上层是同一层。

2.根据权利要求1所述的紫外发光器件，还包括：

在所述第二导电半导体层下方的第三导电半导体层。

3.根据权利要求2所述的紫外发光器件，还包括：

在所述第二导电半导体层与所述第三导电半导体层之间的第二反射层。

4.根据权利要求3所述的紫外发光器件，其中所述第二反射层包括多个化合物半导体层，

其中所述化合物半导体层包括至少两种化合物半导体。

5.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述多个化合物半导体层包括多个奇数编号的化合物半导体层和多个偶数编号的化合物半导体层。

6.根据权利要求5所述的紫外发光器件，其中所述奇数编号的化合物半导体层的厚度与所述偶数编号的化合物半导体层的厚度不同。

7.根据权利要求5所述的紫外发光器件，其中所述奇数编号的化合物半导体层的厚度比所述偶数编号的化合物半导体层的厚度大。

8.根据权利要求5所述的紫外发光器件，其中所述奇数编号的化合物半导体层具有30nm至40nm的厚度，以及

其中所述偶数编号的化合物半导体层具有20nm至30nm的厚度。

9.根据权利要求3所述的紫外发光器件，其中所述第二反射层的最下层和最上层包括具有相同含量的至少两个半导体层。

10.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述多个化合物半导体层中的相邻化合物半导体层构成一个周期对。

11.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述化合物半导体层包括Ga，以及

其中所述多个化合物半导体层中的相邻化合物半导体层的Ga含量彼此不同。

12.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述化合物半导体层包括Al，以及

其中所述多个化合物半导体层中的相邻化合物半导体层的Al含量彼此不同。

13.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述化合物半导体层具有不同的折射率。

14.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述化合物半导体层具有奇数编号的层。

15.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层的最下层和最上层包括具有相同含量的至少两个半导体层。

16.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述有源层的折射率比所述第一反射层的最下层的折射率大。

17.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第二导电半导体层的折射率比所述第一反射层的最上层的折射率大。

18.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层包括用于反射具有270nm至290nm的波长的紫外光的材料。

19.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层包括与所述第一导电半导体层的掺杂剂相同的掺杂剂。

20.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层包括与所述第二导电半导体层的掺杂剂相同的掺杂剂。

21.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层包括与所述第二导电半导体层的半导体材料相同的半导体材料。