[发明专利]紫外半导体发光器件

说明书

技术领域

根据35U.S.C.§119(a)，本申请要求2011年11月25日提交的第10-2011-0124452号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并到本文中。

背景技术

本公开内容涉及紫外半导体发光器件。发光二极管(LED)是将电流转化成光的半导体发光器件。

由于半导体发光器件可以获得具有高亮度的光，所以半导体发光器件已经被广泛用于显示器的光源、车辆的光源以及用于照明的光源。

最近，已经提出了能够输出紫外光的紫外半导体发光器件。

但是，紫外光被吸收到紫外半导体发光器件的内部，使得量子效率降低。

发明内容

实施方案提供一种能够通过防止紫外光被吸收来提高量子效率的紫外半导体发光器件。

实施方案提供一种能够通过向前反射紫外光来提高量子效率的紫外半导体发光器件。

根据实施方案，提供一种紫外发光器件，所述紫外发光器件包括：第一导电半导体层；在第一导电半导体层下方的有源层；在有源层下方的第一反射层；以及在第一反射层下方的第二导电半导体层，其中，第一反射层包括多个化合物半导体层，其中化合物半导体层包括至少两种半导体材料，并且其中至少两种半导体材料的含量彼此不同。

根据实施方案，提供一种照明系统，所述照明系统包括：衬底；在衬底上的紫外发光器件；以及环绕上述紫外发光器件并且包括荧光材料的模制构件。

附图说明

图1是示出根据第一实施方案的紫外半导体发光器件的截面图；

图2是示出通过图1的紫外半导体发光器件来反射紫外光的机理的图；

图3是示出图1的第二导电半导体层的详细构造的截面图；

图4是示出作为图1的紫外半导体发光器件的一个应用实例的倒装芯片型紫外半导体发光器件的截面图；

图5是示出根据第二实施方案的紫外半导体发光器件的截面图；

图6是示出根据第三实施方案的紫外半导体发光器件的截面图；

图7是示出图6的第二导电半导体层的详细构造的截面图；

图8是示出图6的第二导电半导体层的形状的俯视图；以及

图9是示出反射率随根据实施方案的紫外半导体发光器件的第二导电层的波长变化的图；

具体实施方式

在实施方案的描述中，应理解：当层(或膜)、区域、图案或结构被称作在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊垫或另一图案“上”或“下方”时，其可以“直接”或“间接”位于另一衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或更多个中间层。这样的层位置是参考附图来描述的。

下文中，将参考附图描述实施方案。为了方便或清楚起见，可以对附图中示出的每个层的厚度和尺寸进行放大、省略或示意性描绘。此外，元件的尺寸不完全反映实际尺寸。

图1是示出根据第一实施方案的紫外半导体发光器件的截面图。

参考图1，根据第一实施方案的紫外半导体发光器件10包括衬底11、缓冲层13、第一导电半导体层15、有源层19、第二导电半导体层21、第三导电半导体层23以及第四导电半导体层25。

第一导电半导体层15可以用作电极层和阻挡层两者，第二导电半导体层21可以用作反射层，第三导电半导体层23可以用作阻挡层，以及第四导电半导体层25可以用作电极层，但是实施方案不限于此。

缓冲层13以及第一导电半导体层15至第四导电半导体层25可以包括第III-V族化合物半导体材料或第II-VI族化合物半导体材料。例如，化合物半导体材料可以包括Al、In、Ga和N。

衬底11可以包括具有优异的热导率和优异的透光率的材料，但是实施方案不限于此。例如，衬底11可以包括蓝宝石(Al₂O₃)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP和Ge中的至少一种，但是实施方案不限于此。

缓冲层13可以减轻衬底11与第一导电半导体层15之间的晶格失配。

例如，缓冲层13可以包括AlN或GaN，但是实施方案不限于此。缓冲层13可以具有其中AlN和GaN交替层叠的多层结构。例如，缓冲层13可以具有其中Al_xGaN(0≤x≤1)层交替层叠有不同含量的Al的多层结构。

由于缓冲层13，所以第一导电半导体层15可以在衬底11上稳定地生长。