[发明专利]MOSFET的等效网络及仿真方法

权利要求书

1.一种MOSFET的等效网络，其特征在于：所述MOSFET仿真模型的等效网络包含一MOSFET，电流控制电流源，第一及第二电压源，第一及第二电压控制电压源，第一、第二、第三及第四电阻，其中：

MOSFET的漏极连接第三电阻的第一端，第三电阻的另一端引出所述等效网络的漏极；MOSFET的源极连接第四电阻的第一端，第四电阻的另一端引出所述等效网络的源极；MOSFET的栅极及衬底电极直接引出；

电流控制电流源的两端分别接在MOSFET的源极和漏极；

第一电压控制电压源由MOSFET的源漏电压控制，且第一电压控制电压源作用于第一电阻并产生电流流经第一电压源；

第二电压控制电压源由第三电阻两端的电压控制，且第二电压控制电压源作用于第二电阻并产生电流流经第二电压源。

2.如权利要求1所述的MOSFET的等效网络，其特征在于：所述的MOSFET由SPICE程序提供，是一源漏对称，或者不对称的MOSFET。

3.如权利要求1所述的MOSFET的等效网络，其特征在于：所述第三电阻模拟MOSFET的漏极电阻，第四电阻模拟MOSFET的源极电阻；第一电压控制电压源由MOSFET的源漏电压控制，且第一电压控制电压源控制第一电阻使第一电压源产生相应电流；第二电压控制电压源由第三电阻两端的电压控制，且第二电压控制电压源控制第二电阻使第二电压源产生相应的电流；第一电压源及第二电压源产生的电流反馈到电流控制电流源，以模拟MOSFET的自发热效应。

4.一种MOSFET的仿真方法，其特征在于：包含如下两个步骤：

步骤一，构建MOSFET的等效网络；

步骤二，利用构建的等效网络进行MOSFET的仿真。

5.如权利要求4所述的MOSFET的仿真方法，其特征在于：所述步骤一中，MOSFET的等效网络包含有一基础MOSFET，一电流控制电流源，第一、第二、第三、第四电阻，第一及第二电压控制电压源，第一及第二电压源，其中：

MOSFET的漏极连接第三电阻的第一端，第三电阻的另一端引出所述等效网络的漏极；MOSFET的源极连接第四电阻的第一端，第四电阻的另一端引出所述等效网络的源极；MOSFET的栅极及衬底电极直接引出；

电流控制电流源的两端分别接在MOSFET的源极和漏极；

第一电压控制电压源由MOSFET的源漏电压控制，且第一电压控制电压源作用于第一电阻并产生与第一电压控制电压源等数值电流，此电流流经第一电压源；

第二电压控制电压源由第三电阻两端的电压控制，且第二电压控制电压源作用于第二电阻并产生与第二电压控制电压源等数值电流，此电流流经第二电压源。

6.如权利要求5所述的MOSFET的仿真方法，其特征在于：所述的基础MOSFET由SPICE程序提供，是一源漏对称，或者源漏不对称的MOSFET。

7.如权利要求4和5所述的MOSFET的仿真方法，其特征在于：所述的MOSFET的等效网络，外接的第三电阻用于模拟MOSFET的漏极电阻，第四电阻用于模拟MOSFET的源极电阻，且需考虑外接的第三及第四电阻的电压系数及温度系数；第一电压控制电压源由MOSFET的源漏电压控制，且第一电压控制电压源控制第一电阻使第一电压源产生相应电流；第二电压控制电压源由第三电阻两端的电压控制，且第二电压控制电压源控制第二电阻使第二电压源产生相应的电流；第一电压源及第二电压源产生的电流反馈到电流控制电流源，以模拟MOSFET的自发热效应。

8.如权利要求5所述的MOSFET的仿真方法，其特征在于：所述电流控制电流源受第一及第二电压源的对应电流控制。

9.如权利要求5所述的MOSFET的仿真方法，其特征在于：通过第一及第二电压控制电压源的温度依存性来模拟器件自发热效应和温度依存性。