[发明专利]用于存储器验证的内部数据比较

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过处理设备将数据编程到非易失性存储器阵列的行中；以及

在所述非易失性存储器阵列内部验证所述数据被成功地编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述数据编程到所述非易失性存储器阵列的所述行中包括将来自所述非易失性存储器阵列中的多个高电压页锁存器的数据写入到所述行中的多个存储单元。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述验证包括将来自于所述非易失性存储器阵列的所述行的所编程的数据与所述多个高电压页锁存器中的数据相比较。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述比较包括：

将来自所述非易失性存储器阵列的所述行的所编程的数据读取到所述非易失性存储器阵列中的多个读出放大器中；以及

将来自于所述多个读出放大器的数据应用到所述非易失性存储器阵列中的比较电路。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述比较包括确定所述非易失性存储器阵列的所述行中的多个位是否匹配所述多个高电压页锁存器中的多个位。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

如果所述非易失性存储器阵列的所述行中的多个位匹配所述多个高电压页锁存器中的多个位，则生成所述数据被成功地编程的指示。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器阵列包括多个分区，所述方法还包括：

验证所述多个分区中的每个分区中的数据被成功地编程；

对于所述多个分区中的每个分区生成在相应分区中的数据被成功地编程的指示；以及

将对所述多个分区的所述指示压缩到对所述非易失性存储器阵列的所有所述多个分区的单个指示中。

8.一种装置，包括：

处理设备；以及

非易失性存储器阵列，其被耦合到所述处理设备，所述非易失性存储器阵列包括：

多个存储单元，其被布置为一行或者多行；以及

内部验证电路，其验证数据被成功地编程到所述多个存储单元。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述非易失性存储器阵列还包括：

多个高电压页锁存器，其将所述数据写入到所述多个存储单元；以及

多个读出放大器，其从所述多个存储单元读取数据。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述内部验证电路包括比较电路，以将来自于所述多个读出放大器的所编程的数据与所述多个高电压页锁存器中的数据相比较。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述非易失性存储器阵列还包括：

输出总线，其被耦合在所述多个读出放大器和所述比较电路之间。

12.根据权利要求8所述的装置，其中所述多个存储单元被逻辑地分为多个分区。

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述内部验证电路被配置为对所述多个分区中的每个分区产生在相应分区中的数据被成功地编程的指示。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述内部验证电路还包括压缩电路，以将对所述多个分区的所述指示压缩到对所述非易失性存储器阵列的所有所述多个分区的单个指示中。

15.一种方法，包括：

将来自非易失性存储器阵列的存储单元的值读取到读出放大器中；

将存储在所述读出放大器中的值读取到输出总线上；

通过比较电路来将所述输出总线上的值与对应于所述存储单元的高电压页锁存器中的值相比较；以及

如果所述输出总线上的值匹配所述高电压页锁存器中的值，则生成对所述非易失性存储器阵列的编程操作是成功的指示。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述非易失性存储器阵列的所述存储单元中的值基于对应于所述存储单元的所述高电压页锁存器中的值而被编程到所述存储单元中。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述比较包括将来自于所述输出总线的值以及来自于所述高电压页锁存器的值应用到所述非易失性存储器阵列中的比较电路。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述比较包括确定来自于所述输出总线的值和来自于所述高电压页锁存器的值是否具有相同的逻辑状态。