[发明专利]半导体加工系统

权利要求书

1.一种半导体加工系统，包括：

反应腔，包括上壁和下壁；

固定组件，被设置在反应腔中以使得半导体衬底面向所述反应腔的下壁的方式固定所述半导体衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体加工系统，其中，所述上壁包括进入口，所述下壁包括排出口。

3.根据权利要求2所述的半导体加工系统，其中，所述进入口连接至加工气体储存器。

4.根据权利要求2所述的半导体加工系统，其中，所述排出口连接至排气泵。

5.根据权利要求1所述的半导体加工系统，还包括耦接至所述反应腔的等离子体产生单元。

6.根据权利要求5所述的半导体加工系统，其中，所述等离子体产生单元被耦接至形成在所述反应腔上壁中的进入口。

7.根据权利要求1所述的半导体加工系统，其中，所述固定组件包括晶圆卡盘。

8.根据权利要求1所述的半导体加工系统，还包括连接至所述固定组件的射频单元。

9.根据权利要求8所述的半导体加工系统，还包括在所述射频单元和所述固定组件之间的电连接线，所述电连接线通过在所述反应腔的上壁中的开口馈入。

10.根据权利要求1所述的半导体加工系统，还包括磁体，以分散从所述半导体衬底释放的材料碎片或微粒。

11.根据权利要求10所述的半导体加工系统，其中，所述磁体被设置在所述反应腔外。

12.一种半导体加工设备，包括：

加工腔；以及

固定组件，被设置在所述加工腔中以固定半导体衬底，使得所述半导体衬底的外露表面可以被加工；

其中所述半导体加工设备被配置为使得在所述半导体加工设备的直立安置方式中，所述半导体衬底的所述外露表面指向下。

13.根据权利要求12所述的半导体加工设备，其中，所述固定组件包括晶圆卡盘。

14.根据权利要求12所述的半导体加工设备，还包括连接至所述固定组件的射频产生单元。

15.根据权利要求14所述的半导体加工设备，其中，

所述固定组件包括将所述半导体衬底固定在其上的第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面，并且

所述射频产生单元被连接至所述固定组件的所述第二主表面。

16.根据权利要求12所述的半导体加工设备，其中，

所述加工腔包括上壁和相对的下壁，以及

进入口形成在所述上壁中，排出口形成在所述下壁中。

17.根据权利要求16所述的半导体加工设备，其中，所述进入口连接至加工气体储存器。

18.根据权利要求16所述的半导体加工设备，其中，所述排出口连接至排气泵。

19.根据权利要求12所述的半导体加工设备，还包括耦接至所述加工腔的等离子体产生单元。

20.根据权利要求12所述的半导体加工设备，还包括磁体，以分散从所述半导体衬底的所述外露表面释放的材料碎片或微粒的方式设置。

21.根据权利要求20所述的半导体加工设备，其中，所述磁体的一个磁极面向所述半导体衬底。

22.一种半导体衬底加工方法，所述方法包括：

提供包括上壁和下壁的反应腔以及固定待加工的半导体衬底的固定组件；

将所述半导体衬底以面向所述反应腔的下壁的方式设置在所述固定组件上；以及

在所述半导体衬底面向所述反应腔的所述下壁时加工所述半导体衬底。

23.根据权利要求22所述的方法，其中，加工所述半导体衬底包括将加工气体送入所述反应腔中。

24.根据权利要求22所述的方法，其中，加工所述半导体衬底包括将射频信号馈入所述反应腔中。

25.根据权利要求22所述的方法，其中，加工所述半导体衬底包括将等离子体气体送入所述反应腔中。