[发明专利]半导体加工系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体加工系统、半导体加工设备以及半导体衬底加工方法。

背景技术

在半导体加工技术中膜或层经常被沉积到半导体衬底的表面上，随后通过已知的方法被选择性地去除。特别是在剥离工艺中，膜的去除可能导致晶圆上的微粒、缺陷、薄片等。减少甚至消除该微粒、缺陷、薄片等的沉积是很重要的，因为它们是制造在半导体晶圆上的电子器件或电路的缺陷和故障的潜在源头。

发明内容

为了解决上述问题，根据本发明的一个方面，提供了一种半导体加工系统，包括：反应腔，包括上壁和下壁；固定组件，被设置在反应腔中以使得半导体衬底面向所述反应腔的下壁的方式固定所述半导体衬底。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体加工设备，包括：加工腔；以及固定组件，被设置在所述加工腔中以固定半导体衬底，使得所述半导体衬底的外露表面可以被加工；其中所述半导体加工设备被配置为使得在所述半导体加工设备的直立安置方式中，所述半导体衬底的所述外露表面指向下。

根据本发明的又一方面，提供了一种半导体衬底加工方法，所述方法包括：提供包括上壁和下壁的反应腔以及固定待加工的半导体衬底的固定组件；将所述半导体衬底以面向所述反应腔的下壁的方式设置在所述固定组件上；以及在所述半导体衬底面向所述反应腔的所述下壁时加工所述半导体衬底。

附图说明

附图被包括以提供对实施方式的更进一步理解并且附图结合在本说明书中并构成了本说明书的一部分。附图说明了实施方式，并且与描述一起用于解释实施方式的原理。其他实施方式和实施方式许多预期的优点将容易认识到，因为通过对以下详细描述的参考，它们变得更好理解。附图的元素是不必须互相相对成比例的。相似的参考数字指定相应相似的部分。

图1示出根据实施方式的半导体加工系统的示意性横截面侧视图表示；

图2示出根据实施方式的半导体加工系统的示意性横截面侧视图表示；

图3示出根据实施方式的半导体加工系统的示意性横截面侧视图表示；

图4示出根据实施方式的半导体加工系统的示意性横截面侧视图表示；

图5示出根据实施方式的半导体加工系统的示意性横截面侧视图表示；

图6示出说明根据实施方式的半导体衬底加工方法的流程图；以及

图7a和7b示出了用于说明通过颠倒晶圆去除加工的材料的实施方式的示意性横截面侧视图表示。

具体实施方式

现参考附图来描述本发明的方面和实施方式，其中通篇相似的参考数字通常被用于指代相似的元素。在以下描述中，为了提供对实施方式的一个或多个方面的全面理解，为了的解释目的提出了大量详细细节。然而，对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，可以以更少程度的详细细节来实行实施方式的一个或多个方面。在其他情况下，为了促进对实施方式的一个或多个方面的描述，已知的结构和元件以示意性形式示出。需要理解的是，在不偏离本发明的范围的条件下，可以采用其他实施方式并且可以进行结构或逻辑的改变。还需指出的是，视图不是按比例的或者是不需要按比例的。

此外，虽然实施方式的特定的特征或方面可以只关于几个实施中的一个来公开，该特征或方面可以与其他实施方式的一个或更多的其他特征或方面结合，因为其对于任何给出或特定的应用可以是需要或有利的。此外，对于术语“包括”，“具有”，“带有”或它们的其他变体使用在详细描述或权利要求书中的程度，该术语旨在以与术语“包含”相同的方式包括。术语“耦接”和“连接”连同派生词一起都可以使用。需要理解的是，这些术语可以用于表示两个元件合作或相互作用，而不管它们是否直接物理或电气的接触或它们没有直接互相接触。同样，术语“示例性”仅意味着示例，而不意味着最好的或最佳的。因此，以下详细描述没有限制的意思，而且本发明的范围由所附权利要求书限定。

这里描述的实施方式包括加工设备和加工反应器。需要理解的是，这些加工设备和加工反应器实际上含有本领域已知的所有种类的用于对半导体衬底、半导体晶圆、半导体芯片和半导体晶粒进行任何种类加工的装置和器件。特别地，该设备应当在本文中提及，在该设备中所有种类的半导体衬底都可以被氧化、蚀刻、以任何种类的层材料覆膜、或以热、压力和湿度处理、或以高温加工退火。更特别地，那些设备是特别重要的，在该设备中通过化学气相沉积（CVD）、等离子体强化化学气相沉积（PECVD）、真空镀膜以及在射频激发的协助下的这些沉积方法的任意一种，半导体衬底被覆以所有种类的层。