[发明专利]一种新型显影处理单元结构无效
申请号: | 201210494121.7 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN103034076A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 何伟明;邢精成;朱骏;张旭昇 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/30 | 分类号: | G03F7/30 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 显影 处理 单元 结构 | ||
技术领域
本发明属于半导体领域,涉及一种显影过程中的装置,尤其涉及一种新型显影处理单元结构。
背景技术
集成电路制造技术随着摩尔定律快速向前发展,在关键尺寸的不断缩小的同时,对于光刻胶的要求也越来越高,因此对于定义不同的图形时就需要研发出不同特性的光刻胶,而不同特性的光刻胶对于显影液的反应特性又随之不同,从而对于传统的DEV(develop,显影) nozzle(喷嘴) 的运动方式而言,出现一个CDU(特征尺寸均匀性)的问题,对于不同的光刻胶,甚至不同层次需要研发出不同的显影程式来解决CDU的问题。
如图1中所示,对于传统的LD nozzle而言,显影液从显影喷头1中喷洒到wafer(晶圆)2上,同时显影喷头1会开始沿直径的方向扫过整个wafer 2表面。显影喷头1移动速度的快慢直接影响到显影液涂布到wafer 2表面时的均一性。对于反应速度慢的,移动速度应当设定较慢;对于反应速度较快的,移动速度应当设定较快。另如图2中所示,对于传统的GP、MGP nozzle而言,单一喷嘴(nozzle) 3在wafer 2中心喷洒显影液。同时,旋转wafer 2将显影液散开,而达到均匀涂布的目的。而对于不同反应速度的光刻胶,wafer 2旋转的时机以及转速都需要做相应的调整,且调整的过程需要反复做实验并收集数据。
上述的解决面内CDU的问题的装置和方法,会耗费很多的人力和物力,产生较大的成本。
因此,本领域的技术人员致力于开发一种有效节约成本的新型显影处理单元结构。
发明内容
鉴于上述的现有技术中的问题,本发明所要解决的技术问题是现有的技术解决CDU较复杂、成本较高。
本发明提供的一种新型显影处理单元结构,包括显影臂、平台、两个或两个以上喷嘴,所述显影臂与所述平台连接,所述平台上设有连接面,所述喷嘴设于所述连接面上,所述连接面的面积大于或等于晶圆的面积。
在本发明的一个较佳实施方式中,所述喷嘴均匀分布于所述连接面上。
在本发明的另一较佳实施方式中,所述连接面为圆形。
在本发明的另一较佳实施方式中,所述连接面的面积为8-12寸。
在本发明的另一较佳实施方式中,还包括喷淋通道,所述喷淋通道的数量与所述喷嘴的数量相等,每一所述喷嘴分别与每一所述喷淋通道连接。
在本发明的另一较佳实施方式中,还包括多个喷淋马达,每一所述喷淋通道设有一个喷淋马达。
在本发明的另一较佳实施方式中,还包括保护槽和隔板,所述保护槽和隔板配合形成保护罩,所述保护罩设于所述平台的上方,当不使用所述平台时,将所述平台置于所述保护罩中。
本发明的新型显影处理单元结构的技术方案,其结构简单、制作方便、使用和制作均较为简便。运用多个喷嘴形成多个喷涂通道,可以很好的控制面内的CDU问题,有效的节约成本。
附图说明
图1是现有技术的显影喷头的结构示意图;
图2是现有技术的单一喷嘴的结构示意图;
图3是本发明的实施例的结构示意图;
图4是本发明的实施例的保护罩的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明做具体阐释。
如图3中所示的本发明的实施例的新型显影处理单元结构,包括显影臂4、平台5、两个或两个以上喷嘴6。显影臂4与平台5连接,显影臂4用于移动平台5。平台5上设有连接面51,喷嘴6均匀分布的设于连接面51上,连接面51设于需喷淋显影液的晶圆的上方,连接面51的面积大于或等于晶圆的面积。
本发明的新型显影处理单元结构的技术方案,其结构简单、制作方便、使用和制作均较为简便。运用多个喷嘴形成多个喷涂通道,可以很好的控制面内的CDU问题,有效的节约成本。
如图3中所示,在本发明的实施例中,连接面51可以是正方形、圆形等,优选连接面51为圆形。并优选连接面的面积为8-12寸,以适应需喷淋显影液的晶圆的面积大小。
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