[发明专利]芯片封装结构及封装用线路板制造方法无效

专利信息
申请号: 201210495592.X 申请日: 2012-11-28
公开(公告)号: CN103794570A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 张文远;蔡宏杰;蔡国英;魏廷佑 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L23/367;H01L21/48
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 线路板 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构,包括:

线路板,具有芯片接合区、不重叠于该芯片接合区的导热接合区、导电图案、导热图案、多个导电拟凸块、多个第一导热拟凸块及多个第二导热拟凸块,该导电图案位于该芯片接合区内,该导热图案从该芯片接合区延伸至该导热接合区,该些导电拟凸块及该些第一导热拟凸块位于该芯片接合区内,且该些第二导热拟凸块位于该导热接合区内;

芯片结构,电耦接至该些导电拟凸块,且热耦接至该些第一导热拟凸块;以及

导热盖,罩覆于该芯片结构,且热耦接至该些第二导热拟凸块。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该导热图案为虚置图案(dummy pattern)或接地图案。

3.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该导电图案及该导热图案为同一图案化金属层。

4.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该导热盖具有一肩部,且该肩部热搭接在该芯片结构的边缘,而构成另一热传导途径。

5.如权利要求1所述的芯片封装结构,还包括:

多个焊料凸块,该芯片结构经由部分该些焊料凸块电耦接至该些导电拟凸块,以及该芯片结构经由其他该些焊料凸块热耦接至该些第一导热拟凸块。

6.如权利要求1所述的芯片封装结构,还包括:

多个导热层,该导热盖经由该些导热层热耦接至该些第二导热拟凸块。

7.如权利要求6所述的芯片封装结构,其中该些导热层的材料包括环氧化合物或焊料。

8.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该导热接合区环绕该芯片接合区的周围设置。

9.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该导热接合区不连续地环绕该芯片接合区的周围设置。

10.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该导热接合区设置于该芯片接合区的其中一侧。

11.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该芯片结构包括依序堆叠的多个芯片。

12.如权利要求11所述的芯片封装结构,其中该芯片结构包括一逻辑芯片,该逻辑芯片为该些芯片中离该线路板最近的芯片。

13.如权利要求1所述的芯片封装结构,还包括:

至少一散热鳍片,与该导热盖相连接。

14.一种封装用线路板制造方法,包括:

提供一线路板,该线路板具有芯片接合区、不重叠于该芯片接合区的导热接合区、导热图案及防焊层,该导热图案从该芯片接合区延伸至该导热接合区,该防焊层具有至少一第一防焊开口及至少一第二防焊开口,该第一防焊开口暴露位在该芯片接合区的部分该导热图案,且该第二防焊开口暴露位在该导热接合区的部分该导热图案;

形成一图案化光致抗蚀剂层于该防焊层上,该图案化光致抗蚀剂层具有第一光致抗蚀剂开口及第二光致抗蚀剂开口,该第一光致抗蚀剂开口及该第二光致抗蚀剂开口分别暴露该第一防焊开口及该第二防焊开口;

同时填充导热材料于该第一光致抗蚀剂开口及该第二光致抗蚀剂开口内,以形成一第一导热拟凸块及一第二导热拟凸块;以及

移除该图案化光致抗蚀剂层。

15.如权利要求14所述的封装用线路板制造方法,其中该些导热图案为虚置图案(dummy pattern)或接地图案。

16.如权利要求14所述的封装用线路板制造方法,还包括:

在形成该图案化光致抗蚀剂层于该防焊层上之前,形成一电镀籽晶层,覆盖该图案化光致抗蚀剂层及被暴露的该导热图案上;以及

在移除该图案化光致抗蚀剂层之后,移除该防焊层上未被该第一导热拟凸块及该第二导热拟凸块所覆盖的部分该电镀籽晶层。

17.如权利要求14所述的封装用线路板制造方法,其中同时填充该导热材料于该第一导热孔及该第二导热孔内的步骤包括电镀。

18.如权利要求14所述的封装用线路板制造方法,其中该导热接合区环绕该芯片接合区的周围设置。

19.如权利要求14所述的封装用线路板制造方法,其中该导热接合区不连续地环绕该芯片接合区的周围设置。

20.如权利要求14所述的封装用线路板制造方法,其中该导热接合区设置于该芯片接合区的其中一侧。

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