[发明专利]一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法

权利要求书

1.一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，其特征在于，包括：

步骤1：去除p型Ge衬底表面的自然氧化层，以形成激活的Ge表面；

步骤2：对激活的Ge表面进行硫钝化处理，利用Ge表面化学吸附作用构成Ge表面的硫吸附层；

步骤3：在Ge衬底上低温外延或者生长帽层；

步骤4：采用快速退火工艺将硫吸附层中的硫原子扩散进Ge衬底内；

步骤5：腐蚀掉帽层从而得到硫掺杂的n+/p型超浅结。

2.根据权利要求1所述的在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，其特征在于，步骤1中所述p型Ge衬底是p型Ge、GOI以及外延Ge半导体衬底中的一种。

3.根据权利要求1所述的在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，其特征在于，步骤2中所述对激活的Ge表面进行硫钝化处理，采用的硫源是(NH₄)₂S、(NH₄)₂S_x、Na₂S、H₂S中的一种或多种的任意混合物。

4.根据权利要求1所述的在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，其特征在于，步骤2中所述对激活的Ge表面进行硫钝化处理，在常温下进行硫钝化处理的时间为1分钟～3小时。

5.根据权利要求1所述的在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，其特征在于，步骤3中所述帽层采用的材料是Al₂O₃、SiO₂、Si₃N₄中的一种或多种组合。

6.根据权利要求5所述的在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，其特征在于，所述帽层材料采用低温生长，使用原子层沉积、化学气相沉积或者分子束外延方法，帽层厚度为1nm～100nm。

7.根据权利要求1所述的在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，其特征在于，步骤4中所述快速退火工艺的时间为1秒～3分钟，温度范围200℃～850℃。

8.根据权利要求1所述的在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，其特征在于，步骤5中所述腐蚀掉帽层，采用干法或湿法腐蚀。

9.根据权利要求1所述的在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，其特征在于，该方法适用于制作Ge基的MOS电容、MOSFET、FinFET器件以及含有p-n结的Ge基器件。