[发明专利]半导体缺陷定位的方法

权利要求书

1.一种半导体缺陷定位的方法，其特征在于，所述方法包括：

执行步骤S1：由扫描机台获得半导体缺陷的斑点图像，所述半导体缺陷的斑点图像具有所述半导体之前层结构的图像信息；

执行步骤S2：将所述半导体缺陷的斑点图像导入所述工作台视窗系统，并由所述工作台视窗系统呈现出邻近结构性光罩的叠加图，以形成所述工作台视窗图像；

执行步骤S3：通过图像边缘反差化工艺对所述半导体缺陷的斑点图像和所述工作台视窗图像进行处理，以获得边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像；

执行步骤S4：将所述边缘反差化斑点图像和所述边缘反差化工作台视窗图像进行匹配，找出缺陷位置和缺陷位置所在膜层的周边结构样貌；

执行步骤S5：通过所述工作台视窗系统将所述前层结构过滤，所述边缘反差化斑点图像仅保留半导体缺陷位置所在膜层的结构，并将所述缺陷位置所在膜层的周边结构样貌之信息导入扫描电子显微镜；

执行步骤S6：扫描电子显微镜将其拍摄的半导体缺陷图像和通过所述导入的周边结构样貌之信息进行匹配，获得匹配系数最高的条件点，并将所述条件点所对应的位置定义为扫描缺陷位置；

执行步骤S7：重复步骤S1～S6，进一步获得多个不同扫描缺陷位置，并定义最终扫描缺陷位置。

2.如权利要求1所述的半导体缺陷定位的方法，其特征在于，所述前层结构系通过半导体工艺先于所述半导体缺陷所在膜层制备。

3.如权利要求1所述的半导体缺陷定位的方法，其特征在于，所述结构性光罩为改变半导体结构的光罩中的其中之一。

4.如权利要求3所述的半导体缺陷定位的方法，其特征在于，所述结构性光罩为刻蚀层光罩。

5.如权利要求1所述的半导体缺陷定位的方法，其特征在于，所述匹配和匹配系数为将扫描电子显微镜拍摄的半导体缺陷图像和通过所述导入的周边结构样貌之信息进行形貌拟合，其拟合程度用匹配度表示，如拟合程度越高，则匹配系数越高；反之亦然。

6.如权利要求1所述的半导体缺陷定位的方法，其特征在于，所述图像边缘反差化工艺进一步包括，

从所述色阶图获得所述色阶值图，所述色阶值图包括相邻的9个单元像素；

根据各单元像素的色阶值进行比较，若所述中心像素与相邻各单元像素之间的色阶值大于50，则所述中心像素呈黑色显示；若所述中心像素与相邻各单元像素之间的色阶值小于50，则所述中心像素呈白色显示。