[发明专利]密封体、发光装置、电子设备及照明装置有效
申请号: | 201210499269.X | 申请日: | 2012-11-29 |
公开(公告)号: | CN103137896B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;中村太纪;西户祐典 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 叶晓勇,李浩 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密封 发光 装置 电子设备 照明 | ||
1.一种发光装置,包括:
第一衬底及第二衬底,该第一衬底的第一面与该第二衬底的第一面相对,其中该第二衬底包括在其的所述第一面上的膜;以及
玻璃层,该玻璃层接触所述第一衬底的所述第一面及所述第二衬底上的所述膜并形成所述第一衬底与所述第二衬底之间的被密封体区域,并沿着所述第一衬底的所述第一面的外围被连续地设置,
其中,所述被密封体区域包括发光部和驱动电路部,
其中,所述玻璃层包括焊接区域,
其中,所述第一衬底和所述焊接区域都具有角部和边部,
其中,所述第一衬底的所述第一面的面积为所述第二衬底的所述第一面的面积以下,
其中,所述被密封体区域包括在一对电极之间设置有包含发光有机化合物的层的发光元件,
其中,所述焊接区域的所述角部的外侧轮廓的半径为所述焊接区域的所述角部的内侧轮廓的半径以下,并且
其中,所述焊接区域的所述角部的宽度大于所述焊接区域的所述边部的宽度。
2.一种发光装置,包括:
第一衬底及第二衬底,该第一衬底的第一面与该第二衬底的第一面相对,其中该第二衬底包括在其的所述第一面上的膜;以及
玻璃层,该玻璃层接触所述第一衬底的所述第一面及所述第二衬底上的所述膜并形成所述第一衬底与所述第二衬底之间的被密封体区域,并沿着所述第一衬底的所述第一面的外围被连续地设置,
其中,所述被密封体区域包括发光部和驱动电路部,
其中,所述玻璃层包括焊接区域,
其中,所述第一衬底和所述焊接区域都具有角部,
其中,所述第一衬底的所述第一面的面积为所述第二衬底的所述第一面的面积以下,
其中,所述被密封体区域包括在一对电极之间设置有包含发光有机化合物的层的发光元件,并且
其中,所述焊接区域的所述角部的外侧轮廓的半径为所述焊接区域的所述角部的内侧轮廓的半径以下。
3.一种在其显示部使用根据权利要求1或2所述的发光装置的电子设备。
4.一种包括根据权利要求1或2所述的发光装置的照明装置。
5.根据权利要求1或2所述的发光装置,
其中所述第一衬底包括第一部分及第二部分,
其中所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度,
其中所述第一部分接触所述玻璃层,并且
其中所述第二部分不接触所述玻璃层。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中所述玻璃层包括包含氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氧化铯、氧化钠、氧化钾、氧化硼、氧化钒、氧化锌、氧化碲、氧化铝、二氧化硅、氧化铅、氧化锡、氧化磷、氧化钌、氧化铑、氧化铁、氧化铜、二氧化锰、氧化钼、氧化铌、氧化钛、氧化钨、氧化铋、氧化锆、氧化锂、氧化锑、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃及硼硅酸盐玻璃中之一的玻璃粉。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择