[发明专利]用于加工基体的装置以及用于加工基体的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于对基体、尤其是晶片进行加工、尤其是蚀刻和/或显影的装置，以及用于对基体、尤其是晶片进行加工、尤其是蚀刻和/或显影的方法。

背景技术

从现有技术中已知多种不同的用于加工基体的装置。尤其是在半导体技术中已知用于将光刻胶施加到基体上的旋转或回旋涂覆器(Spinnbelacker)。该旋转或回旋涂覆器也被称为“涂布机”。晶片或玻璃片或类似物用作基体。除了该所谓的涂布机之外，从现有技术中也已知用于对基体进行加工、尤其是蚀刻和/或显影的装置。

就此而言，尤其地参考文件EP 1743220A1。该在现有技术中描述的用于旋转涂覆基体的装置记载了回旋涂覆器，其具有可旋转的基体盘以用于水平地支承基体。通过基体盘的旋转分配加工介质。特别的问题是，加工介质也渗透到待处理的基体的后侧上并使其改变。尤其地在两件式的晶片中，这导致后侧的损坏。

发明内容

本发明的目的为，提供一种用于对基体、尤其地圆形的晶片进行加工、尤其地蚀刻和/或显影的装置以用于如此加工晶片，即，不损坏和/或污染基体的后侧，并且提供一种用于此的方法。

根据本发明的实施方式的特征实现了该目的的解决方案。

在典型的实施例中，该用于对基体、尤其是圆形的晶片进行加工、尤其是蚀刻和/或显影的装置包括具有文氏间隙的旋转盘。优选地，通过文氏间隙输出压缩空气或其他介质。由此得到多个优点。第一个优点是，由此基体根据文氏原理被抽吸、被保持在旋转盘上并且尽管旋转盘的旋转而不被甩开。另一优点为，后侧保持干净并且处理介质不会到达后侧上而使其污染或损坏。这对于双侧地涂覆的、或加工的基体来说是尤其有利的。

适宜地，文氏间隙具有0.01mm至0.1mm、优选地0.58mm的间隙尺寸。原则上，该间隙大小与待加工的基体厚度和尺寸相关。

在典型的实施例中，该装置包括压缩空气源。由此得到的优点为，文氏间隙可利用压缩空气或压力介质加载。尤其优选地，该压力介质源适于产生4至8bar、优选地6bar的过压。

优选地，该装置包括限定的棱边以用于实现尤其是在文氏间隙中的限定的压力分布。尤其优选地，该棱边被置于文氏间隙之前。

在典型的实施例中，该装置包括至少一个孔。优选地，该至少一个孔布置在旋转盘的面对基体的中间的区域中。优选地，在表面中布置多个孔。由此得到的优点为，防止在旋转盘和基体的中间的区域之间产生负压或真空。这是有利的，因为防止基体在中间的区域中弯曲或以其它方式变形。

在典型的实施例中，旋转盘具有壳状。由此得到的优点为，该旋转盘非常坚固且可简单地且经济地制造。

在典型的实施例中，该装置具有扩散器。优选地，该扩散器被状入旋转盘的内部空间中。尤其优选地，扩散器与旋转盘一起形成文氏间隙。更为优选地，该扩散器利用其表面至少部分地形成这样的面，即，在其中可在晶片和表面之间形成真空。

尤其优选地，扩散器利用其下侧形成这样的棱边，即，其用于在旋转盘的表面和扩散器的下侧之间确保压力介质的限定的压力分布。

尤其优选地，该装置、尤其是旋转盘包括多个、优选地三个或四个销。有利地，这些销导致，晶片滑到在销之间的预定的位置中。在支承在销中的一个上时，通过传感器单元识别该情况并且不开始加工过程。

在典型的实施例中，该装置包括具有多个槽的旋转盘。优选地，这些槽布置在旋转盘的一个圆周棱边处。优选地，如此布置该槽，即，当其位置正确时晶片或基体伸出超过该槽。

在典型的实施例中，该装置包括抓具。优选地，抓具包括多个抬起销。优选地，抓具的抬起销以与旋转盘上的槽相同的角间距布置。优选地，该抓具的抬起销布置在这样的直径上，即该直径相应于旋转盘的槽布置在其上的直径。由此得到的优点为，利用抓具的抬起销可作用到旋转盘的槽中，从而晶片或基体可放置在抓具的抬起销上。

此外有利的是，抓具也可用于将晶片放置在盘上，而不损坏抓具。

在典型的实施例中，如此构造旋转盘，即，在旋转盘的表面之下的区域中引导从文氏间隙中离开的介质流或空气流。由此得到的优点为，实现更好的涂覆。这是可能的，因为避免或减小了在表面以及由此基体上的流动。通过减小或避免在基体上的该流动实现更好的覆层施加。首先，在涂覆时更少地搅动涂覆介质。此外，所施加的覆层也不被暴露在流动中，由此实现更好的干燥效果。最终，通过避免或减小在基体盘或基体的表面上的流动避免扬起可落到新覆层上的污物或颗粒。

优选地，旋转盘此外具有倒棱。尤其优选地，该倒棱布置在旋转盘、尤其地旋转盘的下部件的上部的圆周棱边处。