[发明专利]镓酞菁晶体的生产方法和使用镓酞菁晶体的生产方法生产电子照相感光构件的方法

权利要求书

1.一种镓酞菁晶体的生产方法，所述方法包括将添加至溶剂的镓酞菁和由下式(1)表示的胺化合物进行研磨处理，从而进行所述镓酞菁的晶体变换：

式(1)中：

R¹-R¹⁰各自独立地表示氢原子、卤素原子、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基以及取代或未取代的环状氨基之一，条件是R¹-R¹⁰中的至少之一表示用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基以及取代或未取代的环状氨基之一；和

X¹表示羰基和二羰基之一。

2.根据权利要求1所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，R¹-R¹⁰中的至少之一表示用取代或未取代的烷基取代的氨基。

3.根据权利要求2所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，在所述用取代或未取代的烷基取代的氨基中所述取代或未取代的烷基包括用烷氧基取代的烷基、用芳基取代的烷基和未取代的烷基之一。

4.根据权利要求3所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，所述用取代或未取代的烷基取代的氨基包括二烷氨基。

5.根据权利要求4所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，所述二烷氨基包括二甲氨基和二乙氨基之一。

6.根据权利要求5所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，所述胺化合物包括由下式(2)表示的胺化合物：

式(2)中，Et表示乙基。

7.根据权利要求1所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，R¹-R¹⁰中的至少之一表示取代或未取代的环状氨基。

8.根据权利要求7所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，所述取代或未取代的环状氨基包括吗啉基和1-哌啶基之一。

9.根据权利要求8所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，所述胺化合物包括由下式(3)表示的胺化合物：

10.根据权利要求1-9任一项所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，在镓酞菁和由式(1)表示的胺化合物添加至所述溶剂后要进行研磨处理的镓酞菁包括通过酸溶法处理的低结晶性羟基镓酞菁。

11.根据权利要求1-9任一项所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，所述镓酞菁晶体包括羟基镓酞菁晶体。

12.根据权利要求11所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，所述羟基镓酞菁晶体包括在CuKα X射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。

13.根据权利要求1-9任一项所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，所述溶剂包括选自由酰胺类溶剂和亚砜类溶剂组成的组中的至少一种。

14.根据权利要求13所述的镓酞菁晶体的生产方法，其中，所述溶剂包括选自由N,N-二甲基甲酰胺和二甲亚砜组成的组中的至少一种。

15.一种生产电子照相感光构件的方法，所述电子照相感光构件包括支承体和在所述支承体上形成的感光层，所述感光层包含镓酞菁晶体，所述方法包括用通过根据权利要求1-9任一项所述的生产方法获得的镓酞菁晶体生产所述感光层。