[发明专利]镓酞菁晶体的生产方法和使用镓酞菁晶体的生产方法生产电子照相感光构件的方法有效

专利信息
申请号: 201210500589.2 申请日: 2012-11-29
公开(公告)号: CN103130813A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 田中正人;川原正隆;渡口要;村上健;吉田晃 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: C07D487/22 分类号: C07D487/22;G03G5/06
代理公司: 北京魏启学律师事务所 11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 镓酞菁 晶体 生产 方法 使用 电子 照相 感光 构件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及镓酞菁晶体的生产方法和使用该镓酞菁晶体的生产方法生产电子照相感光构件的方法。 

背景技术

通常,酞菁类颜料除了其着色用用途以外,还作为在电子照相感光构件、太阳能电池或传感器等中使用的电子材料引起关注并且进行研究。 

目前,经常用作电子照相感光构件用图像曝光单元的半导体激光器的振荡波长为长波长如650至820nm。因此,推进对此类长波长的光具有高感光度的电子照相感光构件的开发。 

酞菁颜料作为对具有在此类长波长区域内波长的光具有高感光度的电荷产生物质是有效的。特别地,氧钛酞菁和镓酞菁具有优异的感光度特性,迄今已报道其各种晶形。 

使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优异的感光度特性。然而,电子照相感光构件涉及以下问题。生成的光载流子易于残留在电子照相感光构件的感光层上和易于充当一种存储器从而引起电位波动如重影现象。 

还发现以下。在镓酞菁各自在电子照相感光构件中使用的情况下,即使当镓酞菁的晶形相同时取决于生产方法如要使用的原料和溶剂以及生产条件如反应温度和负载比(loading ratio)的差异,也显著地发生电子照相感光构件电子照相特性的变化。特别地,所得电子照相感光构件的感光度和带电性显著地彼此不同。 

日本专利申请特开2001-40237报道了在对酞菁颜料进行酸溶处理(acid pasting process)时特定有机电子受体的添加发挥敏化效果。然而,所述方法涉及以下关注和问题。添加剂可能化学变化,由此难以将添加剂变换成期望的晶形。 

此外,日本专利申请特开2006-72304报道了以下。当颜料和特定有机电子受体进行湿式粉碎处理时,晶体变换的同时在晶体表面引入有机电子受体,因此改进电子照相特性。然而,即使在特定有机电子受体引入晶体表面的情况下,对于在其中生产电荷产生层用涂布液时添加相同有机电子受体的分散时的所谓添加的构成和效果也相同。 

如上所述,对于电子照相感光构件已尝试各种改进。 

与近年来打印速度的增加和打印图像品质的改进相关联,期望感光度的额外改进和由于重影现象引起的图像品质劣化的减轻。然而,由于以下窘境的存在,因此难以实现感光度的额外改进和图像品质的改进之间的相容性。当尝试改进感光度时,重影现象恶化。 

发明内容

鉴于上述,本发明旨在提供作为能够解决所述问题的电荷产生物质的具有优异特性的镓酞菁晶体。 

此外,本发明旨在提供电子照相感光构件的生产方法,所述电子照相感光构件具有额外改进的感光度和不仅在常温常湿环境下而且在作为特别苛刻的条件的低温低湿环境下均能够输出具有较少的由于重影现象引起的图像缺陷的图像。 

本发明提供镓酞菁晶体的生产方法,所述方法包括将添加至溶剂的镓酞菁和由下式(1)表示的胺化合物进行研磨处理(milling treatment),从而进行镓酞菁的晶体变换: 

式(1)中:R1-R10各自独立地表示氢原子、卤素原子、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基和取代或未取代的环状氨基之一,条件是R1-R10中的至少之一表示用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基和取代或未取代的环状氨基之一;和X1表示羰基和二羰基之一。 

本发明还提供电子照相感光构件的生产方法,所述电子照相感光构件包括支承体和在支承体上形成的感光层,感光层包含镓酞菁晶体,所述方法包括用通过上述生产方法获得的镓酞菁晶体生产感光层。 

根据本发明,提供作为电荷产生物质的具有优异特性的镓酞菁晶体。 

此外,根据本发明,提供电子照相感光构件的生产方法,所述电子照相感光构件具有额外改进的感光度和不仅在常温常湿环境下而且在作为特别苛刻的条件的低温低湿环境下均能够输出具有较少的由于重影现象引起的图像缺陷的图像。 

参考附图,从以下示例性实施方案的描述中,本发明的进一步特征将变得显而易见。 

附图说明

图1为说明设置有具有本发明电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性构造实例的图。 

图2为实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。 

图3为实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。 

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