[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法有效
申请号: | 201210501358.3 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103855320A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;钟铁涛;陈吉星 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,包括依次层叠的基板、阳极、功能层、阴极、封装层和封装盖,基板和封装盖形成封闭空间,阳极、功能层、阴极、封装层容置在该封闭空间内,其特征在于,所述封装层依次包括保护层、碳氮化合物膜、氟化物膜、有机阻挡层、湿气吸收层和散热层;
所述碳氮化合物膜为掺杂有碳化物的氮化物膜,其中,所述碳化物材料为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪,所述氮化物材料为四氮化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化钽或氮化钛,所述碳化物与所述氮化物的质量比为1:6~14:19;所述氟化物膜的材料为氟化铝、四氟化铪、四氟化锆、氟化铈或氟化铱。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述碳氮化合物膜的厚度为80nm~150nm;所述氟化物膜的厚度为80nm~150nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述保护层的材料为酞菁铜、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、八羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌,保护层的厚度为200nm~300nm;
所述有机阻挡层的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂,所述有机阻挡层的厚度为1μm~1.5μm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述湿气吸收层的材料为氧化钙、氧化钡、氧化锶或氧化镁,所述湿气吸收层厚度为100nm~200nm;
所述散热层的材料为铝、银、铜或他们的组合物,所述散热层的厚度为200nm~500nm;及
所述封装盖为金属薄片,金属薄片的材料为银、铝或铜。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述碳氮化合物膜与所述氟化物膜交替层叠设置,层叠层数大于等于三层。
6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在洁净的玻璃基板或有机薄膜基板上制备有机电致发光器件的阳极;采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上依次制备功能层、阴极和封装层,采用紫外光固化方式将封装盖进行封装,使所述基板和所述封装盖形成封闭空间;
所述封装层的制备包括首先在阴极上采用真空蒸镀的方式制备所述保护层;
在所述保护层上采用磁控溅射共溅制备所述碳氮化合物膜,其中,所述碳化物材料为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪,所述氮化物材料为四氮化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化钽或氮化钛,所述磁控溅射条件为:采用三靶磁控溅射沉积系统,设置本底真空度为1×10-5Pa~1×10-3Pa,膜层厚度设置为80nm~150nm,将所述碳化物与所述氮化物的质量比为1:6~14:19作为靶材,在溅射速率为5nm/min~40nm/min条件下进行磁控溅射得到碳氮化合物膜,再在所述碳氮化合物膜上通过真空蒸发的方式制备所述氟化物膜,所述氟化物膜的材料为氟化铝、四氟化铪、四氟化锆、氟化铈或氟化铱,所述真空蒸发的方式为真空度8×10-5Pa~3×10-5Pa,蒸发速度
然后在所述氟化物膜上采用先旋涂后曝光的工艺制备所述有机阻挡层,所述先旋涂后曝光的工艺过程为,将所述有机阻挡层材料旋涂,然后用波长为200nm~400nm紫外光固化,光强为10mW/cm2~15mW/cm2,曝光时间200s~300s;
接着在所述有机阻挡层上采用溅射方式制备所述湿气吸收层,在所述湿气吸收层上真空蒸镀所述散热片;
最后采用封装胶将金属薄片封装形成封装盖,使所述基板和所述封装盖形成密闭空间,将所述阳极、功能层、阴极和封装层容置在该封闭空间内。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述碳氮化合物膜的厚度为80nm~150nm;所述氟化物膜的厚度为80nm~150nm。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述保护层的材料为酞菁铜、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、八羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌,保护层的厚度为200nm~300nm;
所述有机挡层的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂,所述有机挡层的厚度为1μm~1.5μm。
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