[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。

传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装，其边沿用紫外聚合树脂密封，但这种方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较大，增加了器件的重量，并且该方法不能应用于柔性有机电致放光器件的封装。

发明内容

为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件可有效地减少水汽、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，保护有机电致发光器件的有机功能材料和电极免遭破坏，对器件的寿命有显著的提高。本发明方法适用于封装以导电玻璃基板制备的有机电致发光器件。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。

一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，

包括依次层叠的基板、阳极、功能层、阴极、封装层和封装盖，基板和封装盖形成封闭空间，阳极、功能层、阴极、封装层容置在该封闭空间内，所述封装层依次包括保护层、碳氮化合物膜、氟化物膜、有机阻挡层、湿气吸收层和散热层；

所述碳氮化合物膜为掺杂有碳化物的氮化物膜，其中，所述碳化物材料为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪，所述氮化物材料为四氮化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化钽或氮化钛，所述碳化物与所述氮化物的质量比为1:6～14:19；所述氟化物膜的材料为氟化铝、四氟化铪、四氟化锆、氟化铈或氟化铱。

优选地，所述碳氮化合物膜的厚度为80nm～150nm；所述氟化物膜的厚度为80nm～150nm。

优选地，所述保护层的材料为酞菁铜、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、八羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，保护层的厚度为200nm～300nm；

所述有机阻挡层的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂，所述有机阻挡层的厚度为1μm～1.5μm。

优选地，所述湿气吸收层的材料为氧化钙、氧化钡、氧化锶或氧化镁，所述湿气吸收层的厚度为100nm～200nm；

所述散热层的材料为铝、银、铜或他们的组合物，厚度为200nm～500nm；及

所述封装盖为金属薄片，金属薄片的材料为银、铝或铜。

优选地，所述碳氮化合物膜与所述氟化物膜交替层叠设置，层叠层数大于等于三层。

本发明另一方面提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在洁净的玻璃基板或有机薄膜基板上制备有机电致发光器件的阳极；采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上依次制备功能层、阴极和封装层，采用紫外光固化方式将封装盖进行封装，使所述基板和所述封装盖形成封闭空间；

所述封装层的制备包括首先在阴极上采用真空蒸镀的方式制备所述保护层；

在所述保护层上采用磁控溅射共溅制备所述碳氮化合物膜，其中，所述碳化物材料为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪，所述氮化物材料为四氮化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化钽或氮化钛，所述磁控溅射条件为：采用三靶磁控溅射沉积系统，设置本底真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，膜层厚度设置为80nm～150nm，将所述碳化物与所述氮化物的质量比为1:6～14:19作为靶材，在溅射速率为5nm/min～40nm/min条件下进行磁控溅射得到碳氮化合物膜，再在所述碳氮化合物膜上通过真空蒸发的方式制备所述氟化物膜，所述氟化物膜的材料为氟化铝、四氟化铪、四氟化锆、氟化铈或氟化铱，所述真空蒸发的方式为真空度8×10^-5Pa～3×10^-5Pa，蒸发速度