[发明专利]电子照相感光构件、生产电子照相感光构件的方法、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体

权利要求书

1.一种电子照相感光构件，其包括：

支承体；和

形成于所述支承体上的感光层，

其中所述感光层包含酞菁晶体，在所述晶体内含有满足下式(A)和(B)的化合物：

8.9≤δP≤10.7  (A)

-3.2≤L≤-1.5  (B)

式(A)中，δP表示汉森溶解度参数的极性项，和式(B)中，L表示作为基于密度泛函计算B3LYP/6-31G的结构优化计算的结果获得的LUMO(最低未占分子轨道)的能级(eV)。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述化合物包括选自由具有羟基的缩合多环化合物、具有羟基的多苯基化合物和具有羟基的芳族酮化合物组成的组中的至少一种。

3.一种电子照相感光构件，其包括：

支承体；和

形成于所述支承体上的感光层，

其中所述感光层包含酞菁晶体，在所述晶体内含有由下式(1)表示的化合物：

式(1)中：

R¹至R¹⁰各自独立地表示氢原子、羟基、卤素原子、芳氧羰基、酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳氧基；

所述取代的烷基的取代基、所述取代的烷氧基的取代基和所述取代的芳氧基的取代基各自为卤素原子、羟基、或烷氧基；

R¹至R¹⁰中的至少之一为羟基；和

X¹表示羰基和二羰基中之一。

4.根据权利要求1至3任一项所述的电子照相感光构件，其中所述酞菁晶体为羟基镓酞菁晶体。

5.根据权利要求4所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体为在CuKαX射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。

6.一种生产酞菁晶体的方法，

其包括以下步骤：将添加到溶剂的酞菁晶体和满足下式(A)和(B)的化合物进行研磨处理：

8.9≤δP≤10.7  (A)

-3.2≤L≤-1.5  (B)

式(A)中，δP表示汉森溶解度参数的极性项，和式(B)中，L表示作为基于密度泛函计算B3LYP/6-31G的结构优化计算的结果获得的LUMO(最低未占分子轨道)的能级(eV)。

7.根据权利要求6所述的生产酞菁晶体的方法，其中所述化合物包括选自由具有羟基的缩合多环化合物、具有羟基的多苯基化合物和具有羟基的芳族酮化合物组成的组中的至少一种。

8.根据权利要求6或7所述的生产酞菁晶体的方法，其中所述化合物包括由下式(1)表示的化合物：

式(1)中：

R¹至R¹⁰各自独立地表示氢原子、羟基、卤素原子、芳氧羰基、酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳氧基；

所述取代的烷基的取代基、所述取代的烷氧基的取代基和所述取代的芳氧基的取代基各自为卤素原子、羟基或烷氧基；

R¹至R¹⁰中的至少之一为羟基；和

X¹表示羰基和二羰基中之一。

9.根据权利要求6或7所述的生产酞菁晶体的方法，其中所述溶剂包括选自由酰胺类溶剂和亚砜类溶剂组成的组中的至少一种。

10.根据权利要求9所述的生产酞菁晶体的方法，其中所述溶剂包括选自由N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮和二甲亚砜组成的组中的至少一种。

11.一种生产电子照相感光构件的方法，所述电子照相感光构件包括支承体和形成于所述支承体上的感光层，所述方法包括以下步骤：

通过根据权利要求6或8所述的生产方法来生产酞菁晶体；和

用所生产的酞菁晶体形成感光层。