[发明专利]电子照相感光构件、生产电子照相感光构件的方法、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体

说明书

技术领域

本发明涉及电子照相感光构件、生产酞菁晶体的方法、生产电子照相感光构件的方法、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体。 

背景技术

目前已频繁用作电子照相设备的图像曝光单元的半导体激光器的振荡波长为例如650至820nm的长波长。所以，已推进了对具有该长波长的光具有高感光度的电子照相感光构件的开发。 

酞菁颜料作为对具有在该长波长范围内的波长的光具有高感光度的电荷产生物质是有效的。特别地，氧钛酞菁和镓酞菁具有优异的感光特性，并迄今已报道了其各种晶形。 

使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优异的感光特性。然而，产生的光载流子(photocarrier)易于残留在电子照相感光构件的感光层上。因此，电子照相感光构件涉及以下问题。即，发生作为一种记忆(memory)的短期电位变化，其易于引起图像缺陷例如重影图像，并引起与重复使用相关联的长期电位变化。 

日本专利申请特开2001-40237报道了，在酞菁颜料的酸溶处理(acid pasting process)时添加特定有机电子受体产生感光效果。然而，所述方法涉及以下顾虑和问题。添加剂可以化学上变化，因此难以将添加剂转化为所需的晶形。 

另外，日本专利申请特开2006-72304报道了以下。当颜料和特定有机电子受体进行湿式粉碎处理时，有机电子受体在随 晶体转化的同时被引入晶体的表面，并因此改善电子照相特性。 

然而，通过所述方法获得的酞菁晶体在其中不包含有机电子受体，并且受体仅处于与晶体混合的状态或仅附着到其表面。因此，所述方法的构成和效果与在其中在生产电荷产生层用涂布液时添加特定有机电子受体的分散时的所谓添加相同。 

另外，日本专利申请特开2007-138153公开了将氟化芳族化合物引入酞菁晶体，日本专利申请特开2007-332052公开了将氨基化合物引入酞菁晶体。 

如上所述，对电子照相感光构件已尝试了各种改进。 

然而，与近年来图像品质的进一步改善相关已期望减轻由于在各种环境下感光构件中的电位变化引起的图像浓度变化。由本发明的发明人进行的研究在各日本专利申请特开2001-40237、2006-72304、2007-138153和2007-332052中所述的技术在抑制在低温、低湿环境下重复使用电子照相感光构件时的电位变化方面容易得到改善。 

发明内容

鉴于上述，本发明的目的是提供电子照相感光构件，生产电子照相感光构件的方法以及各自具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备，所述电子照相感光构件已解决了所述问题，并且不仅在常温、常湿环境下而且在低温、低湿环境作为特别恶劣的条件下可输出其图像浓度从连续打印开始到其结束改变至降低的程度的图像。 

另外，本发明的目的是提供在其中包含满足特定物理性质的化合物的酞菁晶体和生产该晶体的方法。 

由本发明的发明人进行的研究已发现在其中包含使汉森溶解度参数(Hansen Solubility Parameter)的极性项以及LUMO的 能级控制到落入特定范围内的化合物的酞菁晶体的使用对抑制在低温、低湿环境下重复使用电子照相感光构件时的电位变化显示优异的效果。 

本发明提供电子照相感光构件，其包括：支承体；形成于所述支承体上的感光层，其中所述感光层包含酞菁晶体，在所述晶体内含有满足下式(A)和(B)的化合物： 

8.9≤δP≤10.7  (A) 

-3.2≤L≤-1.5  (B) 

式(A)中，δP表示汉森溶解度参数的极性项，和式(B)中，L表示作为基于密度泛函计算B3LYP/6-31G的结构优化计算的结果获得的LUMO(最低未占分子轨道)的能级(eV)。 

本发明还提供电子照相感光构件，其包括：支承体；和形成于所述支承体上的感光层，其中所述感光层包含酞菁晶体，在所述晶体内含有由下式(1)表示的化合物： 

式(1)中：R¹至R¹⁰各自独立地表示氢原子、羟基、卤素原子、芳氧羰基、酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳氧基； 

所述取代的烷基的取代基、所述取代的烷氧基的取代基、和所述取代的芳氧基的取代基各自为卤素原子、羟基、或烷氧基； 

R¹至R¹⁰中的至少一个为羟基或烷氧基；和 

X¹表示羰基和二羰基中之一。