[发明专利]去除残铜的方法及装置无效
| 申请号： | 201210504603.6 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103849873A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李存英;吴迎新;卢中;刘海龙;刘玉涛;耿宪国;柯洁新;赵凯国;谢二堂;赵顺斌 | 申请（专利权）人： | 深南电路有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/14 | 分类号： | C23F1/14;C23F1/08;C23F1/02 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 唐华明 |
| 地址： | 518000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 方法 装置 | ||
1.一种去除残铜的方法，其特征在于，包括：
获取电路板上的残铜区域的位置坐标；
根据所述残铜区域的位置坐标，向所述残铜区域喷洒蚀刻液，以蚀去所述残铜区域的残铜。
2.根据权利要求1所述的去除残铜的方法，其特征在于，所述向所述残铜区域喷洒蚀刻液具体为：使用直径为0.05～0.1毫米的喷嘴向所述残铜区域喷洒蚀刻液。
3.根据权利要求1或2所述的去除残铜的方法，其特征在于，还包括：
在蚀去所述残铜区域的残铜之后，用真空吸嘴吸去喷洒在所述残铜区域的蚀刻液。
4.根据权利要求3所述的去除残铜的方法，其特征在于，还包括：
在用所述真空吸嘴吸去喷洒在所述残铜区域的蚀刻液之后，清洗所述残铜区域。
5.根据权利要求4所述的去除残铜的方法，其特征在于，所述清洗所述残铜区域的步骤包括：向所述残铜区域喷洒清洗液；在向所述残铜区域喷洒清洗液之后，用真空吸嘴吸去喷洒在所述残铜区域的清洗液。
6.根据权利要求5所述的去除残铜的方法，其特征在于，所述向所述残铜区域喷洒清洗液具体为：使用直径为0.05～0.1毫米的喷嘴向所述残铜区域喷洒清洗液。
7.一种去除残铜的装置，其特征在于，包括控制器和蚀刻喷洒器，所述蚀刻喷洒器上设有第一喷嘴，所述控制器的控制信号输出端连接所述蚀刻喷洒器的控制信号输入端，所述控制器用于获取电路板上的残铜区域的位置坐标，根据所述残铜区域的位置坐标，向所述蚀刻喷洒器输入控制信号，控制所述第一喷嘴向电路板的残铜区域喷洒蚀刻液。
8.根据所述权利要求7所述的去除残铜的装置，其特征在于，还包括清洗液喷洒器，所述清洗液喷洒器上设有第二喷嘴，所述控制器的控制信号输出端连接所述清洗液喷洒器的控制信号输入端，所述控制器用于根据所述残铜区域的位置坐标，向所述清洗液喷洒器输入控制信号，控制所述第二喷嘴向电路板的残铜区域喷洒清洗液。
9.根据所述权利要求8所述的去除残铜的装置，其特征在于，所述第一喷嘴的直径为0.05～0.1毫米，所述第二喷嘴的直径为0.05～0.1毫米。
10.根据所述权利要求7、8或9所述的去除残铜的装置，其特征在于，还包括吸液器，所述吸液器上设有真空吸嘴，所述控制器的控制信号输出端连接所述吸液器的控制信号输入端，所述控制器用于根据所述残铜区域的位置坐标，向所述吸液器输入控制信号，以控制所述真空吸嘴吸去残铜区域上的清洗液。
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