[发明专利]去除残铜的方法及装置无效

专利信息
申请号: 201210504603.6 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN103849873A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 李存英;吴迎新;卢中;刘海龙;刘玉涛;耿宪国;柯洁新;赵凯国;谢二堂;赵顺斌 申请(专利权)人: 深南电路有限公司
主分类号: C23F1/14 分类号: C23F1/14;C23F1/08;C23F1/02
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 唐华明
地址: 518000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 去除 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及电路板的制造领域,尤其是涉及一种去除残铜的方法及装置。

背景技术

如图1所示,在印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)制造过程中,由于受电镀不均匀、计算机辅助制造(ComputerAided Manufacturing,CAM)补偿不合理或线路蚀刻均匀性不良等因素影响,常导致蚀刻后的PCB板线路101边缘留有残铜102。当密排线路图形区域出现欠腐蚀的残铜时,将影响到线路的信号传输,甚至出现线路间的短路现象,导致留有残铜的PCB板需要报废或返工。目前,一般是在留有残铜的PCB板上贴干膜,利用负片菲林曝光、蚀刻残铜的方式去除残铜,以获得合格的PCB板。但是这种去除残铜的方法效率低,返工成本高。

发明内容

本发明提供一种去除残铜的方法及装置,该方法根据获取的残铜区域的位置坐标,向所述残铜区域喷洒蚀刻液,从而可以快速精准的蚀去所述残铜区域的残铜,提高修复电路板残铜缺陷的效率。

本发明提供一种去除残铜的方法,其包括:

获取电路板上的残铜区域的位置坐标;

根据所述残铜区域的位置坐标,向所述残铜区域喷洒蚀刻液,以蚀去所述残铜区域的残铜。

优选的,所述向所述残铜区域喷洒蚀刻液具体为:使用直径为0.05~0.1毫米的喷嘴向所述残铜区域喷洒蚀刻液。

优选的,所述去除残铜的方法还包括:

在蚀去所述残铜区域的残铜之后,用真空吸嘴吸去喷洒在所述残铜区域的蚀刻液。

优选的,所述去除残铜的方法还包括:

在用所述真空吸嘴吸去喷洒在所述残铜区域的蚀刻液之后,清洗所述残铜区域。

优选的,所述清洗所述残铜区域的步骤包括:向所述残铜区域喷洒清洗液;在向所述残铜区域喷洒清洗液之后,用真空吸嘴吸去喷洒在所述残铜区域的清洗液。

优选的,所述向所述残铜区域喷洒清洗液具体为:使用直径为0.05~0.1毫米的喷嘴向所述残铜区域喷洒清洗液。

本发明还提供一种去除残铜的装置,其包括控制器和蚀刻喷洒器,所述蚀刻喷洒器上设有第一喷嘴,所述控制器的控制信号输出端连接所述蚀刻喷洒器的控制信号输入端,所述控制器用于获取电路板上的残铜区域的位置坐标,根据所述残铜区域的位置坐标,向所述蚀刻喷洒器输入控制信号,控制所述第一喷嘴向电路板的残铜区域喷洒蚀刻液。

优选的,所述去除残铜的装置还包括清洗液喷洒器,所述清洗液喷洒器上设有第二喷嘴,所述控制器的控制信号输出端连接所述清洗液喷洒器的控制信号输入端,所述控制器用于根据所述残铜区域的位置坐标,向所述清洗液喷洒器输入控制信号,控制所述第二喷嘴向电路板的残铜区域喷洒清洗液。

优选的,所述第一喷嘴的直径为0.05~0.1毫米,所述第二喷嘴的直径为0.05~0.1毫米。

优选的,所述去除残铜的装置还包括吸液器,所述吸液器上设有真空吸嘴,所述控制器的控制信号输出端连接所述吸液器的控制信号输入端,所述控制器用于根据所述残铜区域的位置坐标,向所述吸液器输入控制信号,以控制所述真空吸嘴吸去残铜区域上的清洗液。

本发明不仅提高了电路板的修复效率,而且不需使用干膜、菲林等材料,大幅降低了修复的成本。

附图说明

图1是留有残铜的线路示意图;

图2是本发明实施例1提供的一种去除残铜的方法流程示意图;

图3是本发明实施例2提供的一种去除残铜的方法流程示意图;

图4是本发明实施例2提供的一种去除残铜的方法具体实施步骤示意图;

图5是本发明实施例3提供的一种去除残铜的装置结构框图;

图6是本发明实施例4提供的一种去除残铜的装置结构框图。

具体实施方式

以下列举实施例对本发明进行详细说明。

实施例1

如图2所示,本发明实施例提供一种去除残铜的方法,其包括:

201、获取电路板上的残铜区域的位置坐标。

本步骤可以利用自动光线检测AOI(Automatic Optic Inspection)设备扫描电路板,获得电路板上的残铜区域的位置坐标,并标出欠腐蚀的残铜区域。

202、根据所述残铜区域的位置坐标,向所述残铜区域喷洒蚀刻液,以蚀去所述残铜区域的残铜。

本步骤根据所述残铜区域的位置坐标,对所述残铜区域进行定位,可以精确的向所述残铜区域喷洒蚀刻液,以去除所述残铜区域的残铜。因此,本实施例去除残铜的效率高。

实施例2

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