[发明专利]氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括以下步骤：

步骤1：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；

步骤2：减薄衬底；

步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；

步骤3：在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；

步骤4：刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层，形成台面；

步骤5：将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，在衬底的背面腐蚀出沟槽；

步骤6：用激光器在台面上打通孔；

步骤7：在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层；

步骤8：在绝缘层上制作导电层，该导电层便覆盖部分ITO层；

步骤9：在ITO层的中心处制作P型电极，该P型电极与导电层连接；

步骤10：在衬底背面蒸度N电极，完成制备。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，其中衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃，该衬底下面的沟槽形状为V字形或矩形，沟槽的深度与衬底相同。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，其中N型掺杂层的材料为N--GaN，厚度为1-5um。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，其中多量子阱发光层的材料为InGaN，厚度为50-500nm。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，其中P型掺杂层的材料为的材料为P--GaN，厚度为200-500nm。

6.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，其中ITO层的材料为95％的InO₂，5％SnO₂，厚度为10-1000nm。

7.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，其中绝缘层的材料为二氧化硅，厚度为0.001-1000μm。

8.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，其中衬底上通孔的直径为20-200μm。

9.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，其中浓硫酸∶浓磷酸＝3∶1，温度为200-330℃，腐蚀时间为2-10小时。

10.根据权利要求1所述的氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，其中所述的激光器的波长为190nm-1064nm，该激光器为纳秒、皮秒或飞秒激光器。