[发明专利]FinFET及其制造方法

权利要求书

1.一种制造FinFET的方法，包括：

在半导体衬底上形成脊状物，保护脊状物的顶部和上部的侧壁，并经由脊状物的下部的暴露侧面对半导体衬底进行掺杂以形成掺杂穿通阻止层，使得脊状物位于掺杂穿通阻止层上方的部分形成半导体鳍片，其中所述掺杂包括从脊状物的侧面向内的扩散或者经由暴露侧面的离子注入；

形成横跨半导体鳍片的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极电介质和栅极导体，并且栅极电介质将栅极导体和半导体鳍片隔开；

形成围绕栅极导体的栅极侧墙；以及

在半导体鳍片位于栅堆叠两侧的部分中形成源区和漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成脊状物的步骤包括：

在半导体衬底上形成顶部保护层；

图案化半导体衬底以形成脊状物；

在脊状物的上部的侧面上形成侧壁保护层，

其中，在形成掺杂穿通阻止层之后，去除顶部保护层和侧壁保护层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中掺杂的步骤包括：

通过气相推入使得掺杂剂从脊状物的下部的暴露侧面向内部扩散直至连通，从而形成掺杂穿通阻止层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中掺杂的步骤包括：

通过共形掺杂在脊状物的下部的暴露侧面形成掺杂剂源层；以及

通过热处理，将掺杂剂从掺杂剂源层向内推入脊状物以形成掺杂穿通阻止层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中掺杂的步骤包括：

通过倾斜离子注入在脊状物的下部的暴露侧面形成掺杂剂源层；以及

通过热处理，将掺杂剂从掺杂剂源层向内推入脊状物以形成掺杂穿通阻止层。

6.根据权利要求2所述的方法，其中在形成脊状物的步骤和形成侧壁保护层的步骤之间还包括：

通过高密度等离子体化学气相沉积形成第一绝缘层；以及

回蚀刻第一绝缘层以暴露脊状物的上部的侧面。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在形成侧壁保护层的步骤和掺杂的步骤之间还包括：

进一步回蚀刻第一绝缘层以提供脊状物的下部的暴露侧面。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述FinFET是N型的，并且在对穿通阻止层掺杂的步骤中使用P型掺杂剂。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述FinFET是P型的，并且在对穿通阻止层掺杂的步骤中使用N型掺杂剂。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中形成源区和漏区的步骤包括：

采用栅极侧墙和栅极导体作为硬掩模，通过蚀刻去除半导体鳍片的暴露部分，并且进一步蚀刻掺杂穿通阻止层的一部分，使得在栅极导体两侧形成到达掺杂穿通阻止层的开口；

在开口内形成应力作用层，该应力作用层由与半导体鳍片不同的材料组成；以及

在应力作用层中形成源区和漏区。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中在形成源区和漏区之后还包括：

去除栅极导体；以及

形成替代栅极导体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在去除栅极导体的步骤和形成替代栅极导体的步骤之间，还包括：

去除栅极电介质；以及

形成替代栅极电介质。