[发明专利]绝缘体上硅结构以及半导体器件结构在审
| 申请号： | 201210507579.1 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102945851A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 结构 以及 半导体器件 | ||
1.一种绝缘体上硅结构，包括：
第一硅层；
形成于所述第一硅层上的第一掩埋氧化物层；
形成于所述第一掩埋氧化物层上的第二硅层；
形成于所述第二硅层上的第二掩埋氧化物层；以及
形成于所述第二掩埋氧化物层上的第三硅层。
2.如权利要求1所述的绝缘体上硅结构，其特征在于，所述第一掩埋氧化物层的厚度大于所述第二掩埋氧化物层的厚度。
3.如权利要求1所述的绝缘体上硅结构，其特征在于，所述第一掩埋氧化物层的厚度范围为0.1μm~2μm。
4.如权利要求1所述的绝缘体上硅结构，其特征在于，所述第二掩埋氧化物层的厚度范围为
5.一种半导体器件结构，包括：
如权利要求1至4任意一项所述的绝缘体上硅结构；
形成于所述第三硅层上的栅极结构；以及
形成于所述栅极结构两侧第三硅层内的源极和漏极。
6.如权利要求5所述的半导体器件结构，其特征在于，所述栅极结构包括：
形成于所述第三硅层上的栅极氧化层；以及
形成于所述栅极氧化层上的多晶硅栅极。
7.如权利要求5所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括形成于所述栅极结构两侧的浅沟道隔离槽，所述浅沟道隔离槽贯穿所述第三硅层和所述第二掩埋氧化物层，并与所述第二硅层接触。
8.如权利要求7所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括形成于所述浅沟道隔离槽中的金属插件，所述金属插件贯穿所述浅沟道隔离槽，并与所述第二硅层接触。
9.如权利要求8所述的半导体器件结构，其特征在于，所述金属插件和所述多晶硅栅极通过连接线连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
