[发明专利]管路监测装置在审
申请号: | 201210507626.2 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN102998012A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 胡可绿;解毅;何雅彬;朱义党;郑修锋;王华钧;忻圣波 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01K1/02 | 分类号: | G01K1/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管路 监测 装置 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及管路监测装置。
背景技术
在用来制造半导体器件的工艺中,例如沉积工序和刻蚀工序,需要将各种气体或液体供给到晶圆表面,具体地,半导体制程中的沉积工序在反应室内进行,在沉积工序中,通入正硅酸乙酯(TEOS)气体,在常温下,TEOS呈液态,输送TEOS的管路的一端与炉管连接,输送TEOS的管路的另一端与存放TEOS的箱连接,在管路的外壁包裹有加热套,加热套能够使管壁达到120度,以确保汽化后的TEOS始终保持在气态,与加热套连接的温度监测器监测加热套的温度。一般地,整个输送TEOS的管路很长,并且由好几段组成,因此,如果温度监测器安装在TEOS管路中某一段的位置,温度监测器只能监测该段TEOS管路的温度,一旦其他段的管路加热套的加热功能下降,温度监测器不能监测出来,最终使不能完全汽化的TEOS气体沉积在半导体基片上,导致半导体元件存在瑕疵,甚至报废。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供了管路监测装置,以解决对管路加热套检测不彻底的问题。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是:管路监测装置,用于管壁外包裹有加热套的多段连续管路,与每段管路对应的加热套均连接有温度监测元件,多个所述温度监测元件串联,并与控制器电连接。
进一步的,所述温度监测元件为温度传感器。
进一步的,管路监测装置还包括一报警单元,所述报警单元与所述控制器连接。
进一步的,所述多段连续管路的一端连接正硅酸乙酯液体输出端,所述多段连续管路的另一端连接正硅酸乙酯气体输入端。
进一步的,所述多段连续管路通过所述加热套加热至120度。
本发明提供的管路监测装置,通过与每段管路对应的加热套连接温度监测元件,对每段加热套均进行检测,保证了每段管路内都保持需要的温度。
附图说明
图1为本发明实施例提供的管路监测装置的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种管路监测装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于,本发明提供的管路监测装置,通过与每段管路对应的加热套连接温度监测元件,对每段加热套均进行检测,保证了每段管路内都保持需要的温度。
图1为本发明实施例提供的管路监测装置的结构示意图。参照图1,一种管路监测装置,用于管壁外包裹有加热套的多段连续管路10,与每段管路对应的加热套11均连接有温度监测元件12,多个所述温度监测元件12串联,并与控制器13电连接。
本发明实施例提供的管路检测装置用于传输TEOS的管路,所述多段连续管路10的一端连接正硅酸乙酯液体输出端14,所述多段连续管路10的另一端连接正硅酸乙酯气体输入端15,所述多段连续管路10通过所述加热套11加热至120度,每一段加热套11对应着相应的管路10加热,一旦有其中一段加热套11发生故障,与该加热套11连接的温度监测元件12监测到温度异常,并将异常信息发送至控制器13,控制器13的电压降低,表明温度异常,在本实施例中,管路监测装置还包括一报警单元,所述报警单元与所述控制器13连接,由报警单元发出信号通知工作人员温度异常。在本实施例中,所述温度监测元件12为温度传感器。
每段管路对应的加热套11均连接有温度监测元件12,实现对管路10的温度监测从单点监测改善到多点监测,使监测更全面,保证管路内的TEOS保持在气态,从而使相应的半导体元件的工艺条件得到保证。
显然,本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
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