[发明专利]一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法

权利要求书

1.一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法，其特征在于，包括：

步骤S01：经光刻和刻蚀，在体硅上形成栅极；

步骤S02：经光刻和刻蚀，在体硅内形成源漏区的沟槽；

步骤S03：清洗所述沟槽的表面，并对所述沟槽表面进行氧化工艺，在所述沟槽表面形成氧化物薄膜；

步骤S04：采用化学方法清洁所述经氧化工艺处理的沟槽表面，将所述氧化物薄膜完全去除，直至所述沟槽表面完全暴露出来；

步骤S05：在所述沟槽表面外延生长嵌入式锗硅层。

2.根据权利要求1所述的一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法，其特征在于，步骤S03中，所述氧化工艺为原位蒸汽产生法氧化工艺。

3.根据权利要求2所述的一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法，其特征在于，所述氧化物薄膜为氧化硅。

4.根据权利要求2所述的一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法，其特征在于，所述氧化物薄膜的厚度为1nm-10nm。

5.根据权利要求1所述的一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法，其特征在于，步骤S04中，利用化学药剂去除所述氧化物薄膜。

6.根据权利要求5所述的一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法，其特征在于，所述的化学方法是利用稀释的氢氟酸对所述氧化物薄膜进行腐蚀。

7.根据权利要求1所述的一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法，其特征在于，步骤S03中采用湿法清洗所述沟槽的表面。