[发明专利]集成电路和IC制造方法有效
| 申请号： | 201210509776.7 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103137620A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·博尔特;纪尧姆·迪布瓦;纳维恩·阿格拉沃尔;高拉夫·比希特;贾亚拉·蒂莱高文登;廖洁;林钦;尼科·贝克曼;皮特·威塞尔斯 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 ic 制造 方法 | ||
1.一种集成电路管芯，包括有源衬底(20)，所述有源衬底(20)包括通过相应的隔离结构(30)彼此横向分离的多个部件，所述隔离结构中的至少一些隔离结构承载另外部件(40)，其中承载所述另外部件的隔离结构下方的有源衬底的相应部分与所述部件电绝缘。
2.根据权利要求1所述的集成电路管芯，其中所述另外部件(40)是无源部件。
3.根据权利要求2所述的集成电路管芯，其中所述无源部件(40)包括多晶硅。
4.根据权利要求3所述的集成电路管芯，其中所述无源部件(40)包括多晶硅电阻器。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的集成电路管芯，其中所述有源衬底(20)形成于电绝缘层(10)上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的集成电路管芯，其中承载另外部件(40)的隔离结构(30)中的每一个被延伸穿过所述有源衬底(20)的电绝缘保护环(50)包围。
7.根据权利要求6所述的集成电路管芯，其中所述保护环(50)是中等沟槽隔离结构。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的集成电路管芯，其中所述有源衬底的相应部分与地相连。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的集成电路管芯，其中所述有源衬底(20)还包括接触端，所述接触端与所述相应部分电绝缘。
10.一种电子设备，包括根据权利要求1至9中任一项所述的集成电路管芯。
11.一种制造集成电路管芯的方法，包括：
提供载体(10)；
在所述载体上形成有源衬底(20)；
在所述有源衬底中形成多个隔离结构(30)，从而限定通过所述隔离结构横向分离的多个有源区；
在所述多个有源区中的相应有源区中形成多个部件；
在所述多个隔离结构中的相应隔离结构上形成多个另外部件(40)；以及
将所述隔离结构下方的所述有源衬底的相应部分与所述部件电绝缘。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述电绝缘步骤包括：
形成多个沟槽，所述另外沟槽的每一个包围承载另外部件的所述隔离结构之一，所述另外沟槽的每一个延伸穿过所述有源衬底；以及
用另外电绝缘材料填充所述另外沟槽的每一个。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述另外电绝缘材料包括氧化硅(SiO2)。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的方法，其中在所述多个隔离结构(30)的相应隔离结构上形成多个另外部件(40)的步骤进一步包括在所述隔离结构上形成多个多晶硅电阻器。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的方法，其中所述载体(10)包括电绝缘材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
