[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池用硫化铟缓冲层薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒太阳能电池用In₂S₃缓冲层薄膜的制备方法，由化学水浴法在基体上反应合成In₂S₃缓冲层薄膜，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，清洗所述基体，

将所述基体依次用丙酮、乙醇在超声波中分别清洗一段时间，再用去离子水冲洗彻底后放在保温箱里面烘干；

步骤2，配制反应溶液，

取一定量的InCl₃·4H₂O、CH₃CSNH₂和CH₃COOH(AC)溶液置于一容器中配制成混合溶液，控制所述混合溶液中In离子和S离子浓度比n_In:n_S在1:2~1:10范围内，并调节所述混合溶液的pH值，使所述pH值在一定范围内，得到反应溶液；

步骤3，沉积In₂S₃缓冲层薄膜，

将装有所述反应溶液的所述容器放入一定温度的恒温水浴槽中，并将所述基体固定于所述反应溶液中，然后将所述容器用铝纸密封，在磁力搅拌器的搅拌下，所述基体与所述反应溶液发生反应，反应完全后得到沉积有所述In₂S₃缓冲层薄膜的基体；

步骤4，除杂，

将所述沉积有In₂S₃缓冲层薄膜的基体取出，并用去离子水去除其的表面杂质，然后将其放在保温箱内烘干。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

其中，所述一段时间为12min。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

其中，所述一定范围为1.6~2.4。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

其中，所述一定温度为在60℃~80℃范围内的任意温度值。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

其中，所述InCl₃·4H₂O、所述CH₃CSNH₂和所述CH₃COOH溶液均为分析纯。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

其中，所述基体包括玻璃基片。