[发明专利]基板清洗方法有效
| 申请号： | 201210510291.X | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103021810A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 佐藤雅伸 | 申请（专利权）人： | 大日本网屏制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;郭晓东 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板清洗方法，向基板（W）喷出清洗液的液滴来进行清洗，其特征在于，
生成平均液滴直径为15μm以上且200μm以下并且液滴直径的分布以3σ表示处于所述平均液滴直径的10％以下的清洗液的液滴，并以每分钟10毫升以上的液滴流量向基板喷出所述液滴，其中，σ为标准偏差。
2.如权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，
向基板喷出平均液滴速度为每秒20米以上且每秒100米以下并且液滴速度的分布以3σ表示处于所述平均液滴速度的10％以下的液滴。
3.一种基板清洗方法，向半导体基板（W）喷出清洗液的液滴来进行清洗，其特征在于，
生成平均液滴直径为15μm以上且30μm以下并且液滴直径的分布以3σ表示处于2μm以下的清洗液的液滴，并以每分钟10毫升以上的液滴流量向半导体基板喷出所述液滴，其中，σ为标准偏差。
4.如权利要求3所述的基板清洗方法，其特征在于，
向半导体基板喷出平均液滴速度为每秒20米以上且每秒60米以下并且液滴速度的分布以3σ表示处于每秒5米以下的液滴。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本网屏制造株式会社，未经大日本网屏制造株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210510291.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种羊刨毛机
- 下一篇：柔性防水屋面系统及其施工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
