[发明专利]基板清洗方法

说明书

本申请是申请日为2009年7月17日、申请号为200980121060.6、发明名称为“基板清洗方法及基板清洗装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种向半导体基板、液晶显示装置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、陶瓷板等（以下仅称为“基板”）喷出清洗液液滴进行清洗的基板清洗方法及基板清洗装置。

背景技术

一直以来，在半导体基板等的制造工艺中，除去附着在基板上的颗粒的清洗工序是不可或缺的。实施清洗工序的单张式清洗装置采用向基板喷射纯水等清洗液的微小液滴来清洗基板的技术。

在这样的清洗装置中，如专利文献1所公开那样，广泛使用双流体喷嘴，所述双流体喷嘴混合清洗液与加压后的气体来生成液滴，并向基板喷射所述液滴与气体的混合流体。附着在基板上的颗粒等异物通过清洗液的液滴的动能被物理除去。另外，专利文献2公开了一种清洗装置，该清洗装置以超声波频带的频率反复使压电元件膨胀收缩，从而使单方向加速后的清洗液的雾滴从喷出口向基板高速喷出。

另一方面，作为喷出液滴的技术，专利文献3公开了一种液滴喷射装置，该液滴喷射装置使形成有倒锥形的喷出口的薄膜振动来生成液滴。另外，专利文献4公开了一种喷墨打印机的喷嘴头，该喷墨打印机的喷嘴头通过向形成缺口部的圆环状管内填充油墨，在管的除缺口部之外的外周壁面上覆盖振子而使油墨振动，从而喷出油墨的液滴。

专利文献1：日本特开2007－227878号公报；

专利文献2：日本特开2000－533号公报；

专利文献3：日本专利第3659593号公报；

专利文献4：日本实公平7－7164号公报。

发明内容

发明要解决的问题

但是，使用专利文献1所公开的双流体喷嘴时，所生成的液滴的速度和大小（液滴的直径）的分布范围广。在半导体基板的清洗工艺中，需要在不破坏基板上的器件的状态下可靠地除去颗粒，如果液滴的速度和大小的分布范围广，则一方面会存在无助于颗粒除去的无用液滴，另一方面还会存在对器件造成损伤的有害液滴。其结果，存在如下问题，即，清洗效率的提高受到抑制的同时，产生破坏器件的可能性。这样的问题在其他基板的清洗中也是相同的，成为不均匀清洗结果的原因。

本发明是鉴于这样的情况而提出的，其目的在于提供一种能够提高基板清洗效率的基板清洗方法及基板清洗装置。

用于解决问题的手段

为解决上述问题，本发明的第1技术方案为一种基板清洗方法，向基板喷出清洗液的液滴来进行清洗，生成如下的清洗液的液滴并向基板喷出，即，所述清洗液的液滴的平均液滴直径为15μm以上且200μm以下，液滴直径的分布以3σ（σ为标准偏差）表示处于所述平均液滴直径的10％以下。

另外，第2技术方案是在第1技术方案的基板清洗方法的基础上，向基板喷出如下液滴，即，所述液滴的平均液滴速度为每秒20米以上且每秒100米以下，液滴速度的分布以3σ（σ为标准偏差）表示处于所述平均液滴速度的10％以下。

另外，第3技术方案是在第1或第2技术方案的基板清洗方法的基础上，以每分钟10毫升以上的液滴流量向基板喷出所述液滴。

另外，第4技术方案是一种基板清洗方法，向半导体基板喷出清洗液的液滴来进行清洗，生成如下的清洗液的液滴并向半导体基板喷出，即，该液滴的平均液滴直径为15μm以上且30μm以下，液滴直径的分布以3σ（σ为标准偏差）表示处于2μm以下。

另外，第5技术方案是在第4技术方案的基板清洗方法的技术上，向半导体基板喷出如下的液滴，即，该液滴的平均液滴速度为每秒20米以上且每秒60米以下，液滴速度的分布以3σ（σ为标准偏差）表示处于每秒5米以下。

另外，第6技术方案是在第4或第5技术方案的基板清洗方法的基础上，以每分钟10毫升以上的液滴流量向半导体基板喷出所述液滴。

另外，第7技术方案是一种基板清洗方法，向基板喷出清洗液的液滴来进行清洗，向在壁面上穿设有多个喷出孔的筒状体输送清洗液，并对该清洗液赋予振动，从而从所述多个喷出孔向基板喷出如下的清洗液的液滴，即，所述清洗液的液滴的平均液滴直径为15μm以上且200μm以下，液滴直径的分布以3σ（σ为标准偏差）表示处于所述平均液滴直径的10％以下。