[发明专利]一种湿刻蚀工艺

说明书

技术领域

本发明属于湿刻蚀领域，涉及一种湿刻蚀工艺，尤其是一种基于制造液晶及OLED面板的湿刻蚀工艺。

背景技术

最普遍、也是设备成本最低的刻蚀方法。其影响被刻蚀物之刻蚀速率的因素有三：刻蚀液浓度、刻蚀液温度及搅拌。定性而言，增加刻蚀温度与施加喷射压力，均能有效提高刻蚀速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF刻蚀SiO2，当然比BOE(Buffered-Oxide-Etch；HF：NH4F=1：6)快的多；但40%的KOH刻蚀Si的速率却比20%KOH慢。一个具有高选择性的刻蚀系统，应该只对被加工薄膜有腐蚀作用，而不伤及一旁之刻蚀掩膜或其下的基板材料。

目前用于制造液晶及OLED面板湿刻工艺采用比较广泛的工艺包括上料、EUV、刻蚀、清洗、风刀、出料，而基板在刻蚀过程中由于采用喷射等刻蚀方式进行快速刻蚀，待刻蚀的图形不能实现同步刻蚀，刻蚀后的图形线条一般呈锯齿状，不能得到理想的光滑的图形线条，从而出现刻蚀不均匀。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种湿刻蚀工艺，通过采用这种工艺步骤，在传统的刻蚀工序之后增加刻蚀浴步骤，该步骤在蚀刻法生产中不仅可以降低基板产生刻蚀不均匀的几率，还可以提高良率。

本发明的目的是通过以下技术方案来解决的：

包括以下步骤：

1）上料：利用机械手将玻璃基板从卡匣中取出，放入湿刻机的入口传送带上；

2）EUV：对玻璃基板用紫外灯管进行照射去除有机物等杂质，然后用纯水进行清洗，出口用风刀进行烘干处理；

3）刻蚀：将浓度为59%的磷酸、浓度为5%的硝酸以及浓度为4%的醋酸按照重量比为50:7:15的比例混合形成刻蚀液，并用该刻蚀液对经过EUV处理的玻璃基板进行刻蚀，同时在出口处进行烘干处理；

4）刻蚀浴：按照步骤3）中的配比配置刻蚀液，并将其稀释为浓度为20～30%，形成刻蚀液浴，将经过刻蚀后的玻璃基板放入在刻蚀液浴中，玻璃基板以的方式通过刻蚀液浴；

5）清洗：玻璃基板经过刻蚀液浴后，进入清洗单元，利用纯水对玻璃基板残存的药液进行清洗；

6）风刀：清洗过后，玻璃基板进入风刀单元，利用风刀将玻璃基板表面的水分烘干；

7）出料：利用机械手将玻璃基板从湿刻机的传送带上取出，放入湿刻机旁指定的卡匣中。

上述步骤2）中紫外灯管为波长172nm的紫外灯管。

上述步骤3）中，玻璃基板在温度为35～45℃、压力为0.08～0.2MPa的混合液中采取喷射方式进行刻蚀。

上述步骤4）中，刻蚀液浓度为20～30%。

本发明通过在传统的刻蚀工序后加入刻蚀浴，可以避免基板在刻蚀液中完成刻蚀后突然进入清洗使得药液浓度陡变导致的刻蚀不良，降低基板产生刻蚀不均匀的几率，待刻蚀的图形实现同步刻蚀，得到理想的光滑的图形线条，且刻蚀均匀，从而提高基板的良率。

附图说明

图1为本发明的工艺流程图。

具体实施方式

下面结合图1对本发明做进一步详细描述：

实施例1

1）上料：利用机械手将玻璃基板从卡匣中取出，放入湿刻机的入口传送带上；

2）EUV：对玻璃基板用波长为172nm的紫外灯管进行照射去除有机物等杂质，然后用纯水进行清洗，出口用风刀进行处理；

3）刻蚀：将浓度为59%的磷酸、浓度为5%的硝酸以及浓度为4%的醋酸按照重量比为50:7:15的比例混合形成刻蚀液，并用该刻蚀液在温度为35℃、压力为0.2MPa的条件下，采取喷射方式对经过EUV处理的玻璃基板进行刻蚀，出口用风刀进行处理；

4）刻蚀浴：按照步骤3）中的配比配置刻蚀液，并将其稀释为浓度为20～30%，形成刻蚀液浴，将经过刻蚀后的玻璃基板放入在刻蚀液浴中，玻璃基板以的方式通过刻蚀液浴；

5）清洗：玻璃基板经过刻蚀液浴后，进入清洗单元，利用纯水对玻璃基板残存的药液进行清洗；

6）风刀：清洗过后，玻璃基板进入风刀单元，利用风刀将玻璃基板表面的水分烘干；

7）出料：利用机械手将玻璃基板从湿刻机的传送带上取出，放入湿刻机旁指定的卡匣中。

实施例2

1）上料：利用机械手将玻璃基板从卡匣中取出，放入湿刻机的入口传送带上；

2）EUV：对玻璃基板用波长为172nm的紫外灯管进行照射去除有机物等杂质，然后用纯水进行清洗，出口用风刀进行处理；