[发明专利]一种FinFET器件的制造方法

权利要求书

1.一种FinFET器件的制造方法，包括：

提供自上而下依次包括第一硅基体、第一掩埋氧化物层、第一多晶硅层、第二掩埋氧化物层以及硅衬底的基底；

在所述第一硅基体上形成硬掩膜层；

图案化所述硬掩膜层，以形成用于蚀刻所述第一硅基体的掩膜；

在露出的所述硬掩膜层的侧壁上形成间隙壁；

以所述硬掩膜层以及所述间隙壁为掩膜，蚀刻所述第一硅基体，以形成凹槽；

在露出的所述第一硅基体的侧壁上形成构成背栅结构的栅氧化层的第一氧化物层；

在所述凹槽中形成所述背栅结构的栅极，并在所述栅极的顶部形成第二氧化物层；

去除所述硬掩膜层；

以所述间隙壁和所述第二氧化物层为掩膜，蚀刻去除未被所述间隙壁和所述第二氧化物层遮蔽的第一硅基体，以形成所述FinFET的Fin；

在露出的所述Fin的侧壁上形成构成前栅结构的栅氧化层的第三氧化物层；

以所述间隙壁和所述第二氧化物层为掩膜，蚀刻去除未被所述间隙壁和所述第二氧化物层遮蔽的第一掩埋氧化物层；

在所述基底上形成第三多晶硅层，以完全覆盖所述背栅结构；

图案化所述第三多晶硅层和所述第一多晶硅层，以形成所述前栅结构的栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化物。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙壁的材料不同于所述硬掩膜层的材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述间隙壁的材料包括SiO、SiON或SiCN。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用反应离子蚀刻工艺蚀刻所述第一硅基体以形成所述凹槽，所述蚀刻于露出所述第一掩埋氧化物层时终止。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述背栅结构的栅极的工艺步骤包括：形成第二多晶硅层以完全填充所述凹槽；研磨所述第二多晶硅层使其顶部平整；回蚀刻所述第二多晶硅层，使其顶部低于所述硬掩膜层的顶部。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用反应离子蚀刻工艺去除未被所述间隙壁和所述第二氧化物层遮蔽的第一硅基体，所述蚀刻于露出所述第一掩埋氧化物层时终止。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底由表面具有第二掩埋氧化物层的硅衬底与依次包括第一多晶硅层、第一掩埋氧化物层、第一硅基体的SOI衬底接合而成。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在图案化所述第三多晶硅层和所述第一多晶硅层之前，还包括：研磨所述第三多晶硅层使其顶部平整；回蚀刻所述第三多晶硅层以露出所述背栅结构的顶部。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩埋氧化物层将所述前栅结构和所述背栅结构隔离开来。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在图案化所述第三多晶硅层和所述第一多晶硅层之后，还包括：在所述基底上形成层间介质层，以完全覆盖所述前栅结构和所述背栅结构；研磨所述层间介质层使其顶部平整；在所述层间介质层中形成分别连接所述前栅结构和所述背栅结构的互连金属层。

12.一种FinFET器件，其特征在于，所述FinFET器件采用如权利要求1-11中的任一方法制造形成。