[发明专利]半导体芯片封装的导接线路的形成方法有效
申请号: | 201210514307.4 | 申请日: | 2012-12-04 |
公开(公告)号: | CN103855040A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 璩泽明;马嵩荃 | 申请(专利权)人: | 讯忆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 封装 接线 形成 方法 | ||
1.一种半导体芯片封装的导接线路的形成方法,该半导体芯片封装安装结合在一基板上以与该基板上所布设的复数个焊点电性连接,包含:
一半导体芯片,其具有一焊垫表面且该焊垫表面上设有复数个焊垫;
至少一介电质层其被覆于该芯片的焊垫表面上;以及
至少一导接线路,其设置于该介电质层中,且各导接线路的一端分别与芯片上一焊垫电性连接,另一端则向外延伸并显露于该介电质层的外面,以形成一焊点,可供与一基板上所预先布设的一焊点电性连接,以使该半导体芯片安装结合在该基板上;
其特征在于,该导接线路的形成方法包含下列步骤:
在芯片的焊垫表面上涂布一第一层介电质层;
利用光阻剂并以曝光显影方式在该第一层介电质层上分别成形一对应于焊垫表面上各焊垫的凹槽,使各焊垫能够经由各凹槽向外裸露;
在第一层介电质层及各焊垫上涂布一第二层介电质层;
利用光阻剂以曝光显影方式在该第二层介电质层上分别成形与各焊垫及其凹槽连结的线路凹槽,其中各线路凹槽埋陷在该第二层介电质层中;
在各线路凹槽内填入导电金属质,以分别形成一导接线路;
在第二层介电质层及各导接线路上涂布一第三层介电质层;
利用光阻剂以曝光显影方式于该第三层介电质层上分别成形与各导接线路的一端连接的凹槽;
在各凹槽内填入导电金属质以分别形成一焊点,该焊点显露于第三层介电质层的外面,可供分别电性连结至芯片的各焊垫。
2.根据权利要求1所述的导接线路的形成方法,其特征在于:该第一、二、三层介电质层的涂布方式为旋涂方式。
3.根据权利要求1所述的导接线路的形成方法,其特征在于:在进行涂布第二层介电质层步骤之前,进一步包括对各凹槽中所裸露的各焊垫上涂布一层可导电金属层以当作各焊垫的保护层的步骤。
4.根据权利要求1所述的导接线路的形成方法,其特征在于:该线路凹槽及凹槽内填入导电金属质的方式选择自银膏印刷、溅镀、化学气相沉积、溅镀与电镀、或化学气相沉积与电镀中的一种。
5.根据权利要求1所述的导接线路的形成方法,其特征在于:该显露于介电质层外面的焊点形成一凸出于介电质层的外表面的半球形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造