[发明专利]一种刻蚀的方法在审
| 申请号： | 201210518429.0 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103854994A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 姬亚东;方绍明;陈志聪 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
1.一种刻蚀的方法，其特征在于，包括：
通过光刻胶层上面的第一开口刻蚀位于所述光刻胶层下面的BPTEOS层，及位于所述BPTEOS层下面的LPTEOS层，生成一深度至位于所述LPTEOS层下面的硅片层上表面的第二开口；
去除所述BPTEOS层表面的所述光刻胶层；
去除在刻蚀形成所述第二开口过程中残留在所述第二开口内壁的残留物；
通过所述第二开口刻蚀所述硅片层上表面，在所述硅片层上表面形成位置与所述第二开口对应的第三开口。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述第二开口刻蚀所述硅片层上表面，在所述硅片层上表面形成位置与所述第二开口对应的第三开口，具体为：
向所述BPTEOS层表面注入一气体，使得所述气体进入所述第二开口，在所述第二开口内壁的所述BPTEOS层表面以及LPTEOS层表面上形成一种保护层；
同时，通过所述第二开口刻蚀所述硅片层上表面，在所述硅片层上表面形成位置与所述第二开口对应的第三开口。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述气体具体为溴化氢气体。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述BPTEOS层表面的所述光刻胶层，具体为：
向所述BPTEOS层表面喷射等离子气体，以去除所述BPTEOS层表面的所述光刻胶层；
通过浓硫酸与双氧水的混合溶液，清洗所述BPTEOS层表面，以去除所述BPTEOS层表面残留的所述光刻胶层；
通过氨水与双氧水的混合溶液，继续清洗所述BPTEOS层表面，以去除所述BPTEOS层表面残留的所述光刻胶层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除在刻蚀形成所述第二开口过程中残留在所述第二开口内壁的残留物，具体为：
通过氢氟酸清洗所述第二开口内壁，以去除在刻蚀形成所述第二开口过程中残留在所述第二开口内壁的残留物。
6.如权利要求1-5中任一权项所述的方法，其特征在于，在所述通过所述第二开口刻蚀所述硅片层上表面，在所述硅片层上表面形成位置与所述第二开口对应的第三开口之后，还包括：
通过氢氟酸清洗所述第三开口的内壁。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述通过氢氟酸清洗所述第三开口的内壁之后，所述方法还包括：
向所述BPTEOS层表面以及所述第三开口内注入氟化硼离子。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述向所述BPTEOS层表面以及所述第三开口内注入符合预设条件离子之后，还包括：
向所述BPTEOS层表面以及所述第三开口内溅射金属，以形成金属硅化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
