[发明专利]一种刻蚀的方法

说明书

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，特别涉及一种刻蚀的方法。

背景技术

DMOS（双扩散金属氧化物半导体）技术与IGBT（绝缘栅双极晶体管）技术是当今半导体界流行的芯片制造技术，尤其IGBT，是正在快速发展的高压大电流Power Device（功率器件）芯片制造技术。

传统的工艺流程中，要对半导体的加工流程，首先是依次刻蚀硅片表面覆盖的BPTEOS（含硼磷的正硅酸乙脂）层和LPTEOS（低压下淀积的正硅酸乙脂）层，以及Contact（源区金属接触）窗口；其次，注入BF2（氟化硼）离子以及溅射金属；最后，去除光刻胶以及清洗。

但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

由于现有技术的方法流程中采用将刻蚀步骤完成后，就直接进行离子注入以及溅射金属步骤，将去除光刻胶及残留物的步骤放在最后一步，中间不进行光刻胶以及窗口残留物去除，前面刻蚀步骤中产生大量的Polymer（聚合物）附着在Contact窗口内，会影响继续刻蚀步骤的技术问题；

也导致后续步骤中BF2离子注入不均匀以及对溅射金属形成的金属硅化物有很大影响的技术问题；

又由于离子注入不均匀与溅射金属形成的金属硅化物受影响，降低了电阻的均匀性，直接导致制造出来的半导体器件抗EAS击穿能力弱的技术问题。

发明内容

本申请实施例通过提供一种刻蚀的方法，用于解决现有技术中由于将去除光刻胶及残留物放在流程的最后一步，中间不进行光刻胶以及窗口残留物去除，造成附着在窗口的残留物影响继续刻蚀及离子注入等步骤的进行的技术问题，实现了提高半导体器件电阻的均匀性和抗EAS击穿能力的技术效果。本申请实施例提供的一种刻蚀的方法，包括：

通过光刻胶层上面的第一开口刻蚀位于所述光刻胶层下面的BPTEOS层，及位于所述BPTEOS层下面的LPTEOS层，生成一深度至位于所述LPTEOS层下面的硅片层上表面的第二开口；

去除所述BPTEOS层表面的所述光刻胶层；

去除在刻蚀形成所述第二开口过程中残留在所述第二开口内壁的残留物；

通过所述第二开口刻蚀所述硅片层上表面，在所述硅片层上表面形成位置与所述第二开口对应的第三开口。

可选的，所述通过所述第二开口刻蚀所述硅片层上表面，在所述硅片层上表面形成位置与所述第二开口对应的第三开口，具体为：

向所述BPTEOS层表面注入一气体，使得所述气体进入所述第二开口，在所述第二开口内壁的所述BPTEOS层表面以及LPTEOS层表面上形成一种保护层；

同时，通过所述第二开口刻蚀所述硅片层上表面，在所述硅片层上表面形成位置与所述第二开口对应的第三开口。

可选的，所述气体具体为溴化氢气体。

可选的，所述去除所述BPTEOS层表面的所述光刻胶层，具体为：

向所述BPTEOS层表面喷射等离子气体，以去除所述BPTEOS层表面的所述光刻胶层；

通过浓硫酸与双氧水的混合溶液，清洗所述BPTEOS层表面，以去除所述BPTEOS层表面残留的所述光刻胶层；

通过氨水与双氧水的混合溶液，继续清洗所述BPTEOS层表面，以去除所述BPTEOS层表面残留的所述光刻胶层。

可选的，所述去除在刻蚀形成所述第二开口过程中残留在所述第二开口内壁的残留物，具体为：

通过氢氟酸清洗所述第二开口内壁，以去除在刻蚀形成所述第二开口过程中残留在所述第二开口内壁的残留物。

可选的，在所述通过所述第二开口刻蚀所述硅片层上表面，在所述硅片层上表面形成位置与所述第二开口对应的第三开口之后，还包括：

通过氢氟酸清洗所述第三开口的内壁。

可选的，在所述通过氢氟酸清洗所述第三开口的内壁之后，所述方法还包括：

向所述BPTEOS层表面以及所述第三开口内注入氟化硼离子。

可选的，在所述向所述BPTEOS层表面以及所述第三开口内注入符合预设条件离子之后，还包括：

向所述BPTEOS层表面以及所述第三开口内溅射金属，以形成金属硅化物。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：