[发明专利]一种芯片植球装置及方法有效
申请号: | 201210519573.6 | 申请日: | 2012-12-06 |
公开(公告)号: | CN103855041B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 李海涛;王明;王悦;王铁军;李维森 | 申请(专利权)人: | 北京普源精电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 102206 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 装置 方法 | ||
技术领域
本发明关于芯片植球技术,具体的讲是一种芯片植球装置及方法。
背景技术
随着当今电子技术的迅猛发展,芯片集成度不断提高,BGA封装(Ball Grid Array Package,球栅阵列封装)的芯片的应用日益广泛。BGA封装的芯片已在电子测量、消费类电子等产品中广泛应用,且扮演着重要的角色,如MCU、FPGA等。
完整的BGA封装芯片由芯片本身及芯片下方的锡球构成。应用时将芯片锡球面与PCB焊盘对齐后加热熔接即可。但在实际应用中会因生产焊接失误、PCB维修等原因需再次将BGA芯片从PCB上拆除,被拆除后的BGA芯片本身功能完好,但锡球无法完好保留。为此该BGA芯片需要重新植球后方可再次使用。
BGA芯片底部通常设有许多接脚,通过锡球连接到PCB板上,使PCB板上各信号接入芯片中,利用芯片做处理;因芯片的接脚数量多,同时排列密集,所以,要是芯片焊接于PCB板上时,针对各管脚的固定工作是必然相当麻烦和不便的。
例如,现有技术中的专利名称为“锡球熔接装置的器具”的专利申请,申请日:2003年11月20日,申请号:200320116735.8,该锡球熔接装置的器具包括:内部设有溶置空间的器具,呈方形框体用于固定器具的固定件,设有数个定位用于定位锡球的孔金属网板以及定位构建。该方案通过将锡球倒入器具的熔制空间,使锡球嵌入金属网板的孔中,并将多余的锡球由导槽倒出,再将器具通过定位构件固设于加热装置中,利用加热装置对器具进行加热使锡球溶解附着于芯片接脚上,完成芯片的锡球焊设步骤。该专利申请的技术方案虽可将锡球植入芯片的接脚。但使用上仍存有诸多缺陷,如:该专利的设备成本高,不适用于PCB维修等小规模使用;设备结构复杂,操作繁琐,耗工费时;加热过程钢网受热易变形,影响锡球准确定位。
发明内容
本发明实施例提供了一种芯片植球装置,该装置包括:上壳体、钢网及下壳体;下壳体设有用于容置所述上壳体和钢网的壳体定位槽,壳体定位槽底部设有用于放置芯片的芯片定位槽;上壳体设有芯片刮锡槽;钢网设置于上壳体与下壳体之间,钢网具有弧面并设有多个钢网圆孔。
本发明提供了一种芯片植球装置,包括:上壳体、钢网及下壳体;其中,下壳体设有用于容置所述上壳体和钢网的壳体定位槽,壳体定位槽底部设有用于放置芯片的芯片定位槽;上壳体设有芯片刮锡槽;钢网设置于上壳体与下壳体之间,钢网设有多个钢网圆孔,下壳体设有用于弹起钢网的弹性机构。
同时本发明提供了一种芯片植球方法,用于一种芯片植球装置,所述的芯片植球装置包括上壳体、钢网及下壳体,所述下壳体设有用于容置所述上壳体和钢网的壳体定位槽,壳体定位槽底部设有用于放置芯片的芯片定位槽;所述的上壳体设有芯片刮锡槽;钢网设置于所述上壳体与装置下壳体之间,所述钢网具有弧面并设有多个钢网圆孔,芯片植球方法包括:
将芯片固定于所述芯片定位槽;
将所述钢网放置于所述壳体定位槽;
将所述上壳体安装于所述壳体定位槽中以固定所述钢网;
在所述芯片刮锡槽中覆盖锡膏,用刮片将所述锡膏刮于所述钢网圆孔中;
取出上壳体并弹出所述钢网,在所述芯片上形成锡柱;
使用热风枪对所述锡柱加热,形成锡球。
本发明还提供了一种芯片植球方法,用于一种芯片植球装置,所述的芯片植球装置包括上壳体、钢网及下壳体,所述下壳体设有用于容置所述上壳体和钢网的壳体定位槽,所述壳体定位槽底部设有用于放置芯片的芯片定位槽;所述的上壳体设有芯片刮锡槽;所述钢网设置于所述上壳体与装置下壳体之间,所述钢网设有多个钢网圆孔,所述的下壳体设有用于弹起所述钢网的弹性机构,该芯片植球方法包括:
将芯片固定于所述芯片定位槽;
将所述钢网放置于所述壳体定位槽;
将所述上壳体安装于所述壳体定位槽中以固定所述钢网;
在所述芯片刮锡槽中覆盖锡膏,用刮片将所述锡膏刮于所述钢网圆孔中;
取出上壳体并弹出所述钢网,在所述芯片上形成锡柱;
使用热风枪对所述锡柱加热,形成锡球。
本发明不采用成品锡球,而是利用在钢网上刮锡膏的方式,使锡膏粘在芯片接脚上形成锡柱,取下钢网后加热并融化锡膏,利用液体张力的作用在芯片接脚上自然形成形状一致的锡球。本方案的综合成本底、置球效率高。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造