[发明专利]从低到高逻辑电平转换电路

权利要求书

1.一种从低到高逻辑电平转换电路，包括；一锁存器，其输入为差分对管，负载为交叉耦合对管；所述差分对管由第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管构成，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的源极与高电压逻辑低电平端相连接，该高电压逻辑低电平端记为VSS；所述交叉耦合对管由第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管构成，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的源极与高电压逻辑高电平端相连接，该高电压逻辑高电平端记为VDD；

其特征在于，还包括：一驱动器，一第一反相器，一第一反馈管；

所述驱动器由第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管构成；第三PMOS晶体管的源极与第一PMOS晶体管的漏极相连接，其漏极与第一NMOS晶体管的漏极和第二PMOS晶体管的栅极相连接，该连接的节点记A点；第三PMOS晶体管的栅极与第一NMOS晶体管的栅极与正输入端相连接；第四PMOS晶体管的源极与第二PMOS晶体管的漏极相连接，其漏极与第二NMOS晶体管的漏极和第一PMOS晶体管的栅极相连接，该连接的节点记B点；第四PMOS晶体管的栅极与第二NMOS晶体管的栅极与负输入端相连接；

所述第一反馈管由第六PMOS晶体管构成，其源极与VDD相连接，其漏极与A点相连接，其栅极与正输出端相连接；

所述第一反相器由第三NMOS晶体管和第五PMOS晶体管构成；第五PMOS晶体管的源极与VDD相连接，其漏极与第三NMOS晶体管的漏极相连接，该连接的节点作为正输出端，第三NMOS晶体管的源极与VSS相连接。

2.如权利1所述的电路，其特征在于：还包括一第二反相器和一第二反馈管，设置在所述锁存器的另一个输出端；使所述电路从单端输出变成双端输出；

所述第二反馈管由第八PMOS晶体管构成，其源极与VDD相连接，其漏极与A点相连接，其栅极与负输出端相连接；

所述第二反相器由第四NMOS晶体管和第七PMOS晶体管构成，第七PMOS晶体管的源极与VDD相连接，其漏极与第四NMOS晶体管的漏极相连接，该连接的节点作为负输出端，第四NMOS晶体管的源极与VSS相连接。