[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵有机发光二极管面板，包括：

一基板；

形成于所述基板上的有机膜；

形成于所述有机膜上的多个红色有机发光二极管、绿色有机发光二极管和蓝色有机发光二极管；

其特征在于，所述有机膜与所述蓝色有机发光二极管相对应的区域形成有凹槽或突起，所述蓝色有机发光二极管形成于所述凹槽或突起上，所述凹槽或突起的表面积大于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。

2.如权利要求1所述有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述红色有机发光二极管和所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积相等。

3.如权利要求1或2所述有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述凹槽的开口面积小于或等于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。

4.如权利要求1或2所述有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述凸起的底面面积小于等于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。

5.如权利要求1所述有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述凹槽为楔形、“W”字形或者半球形。

6.如权利要求1所述有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述突起为楔形、“M”字形或者半球形。

7.如权利要求3所述有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述凹槽的深度小于等于所述有机膜的厚度。

8.一种如权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成有机膜；

利用多灰阶掩膜版对所述有机膜进行曝光；

刻蚀去除部分有机膜，在所述有机膜上形成多个凹槽或突起；

在所述有机膜上形成多个红色有机发光二极管、绿色有机发光二极管和蓝色有机发光二极管；

其中，所述蓝色有机发光二极管形成于所述凹槽或突起上，所述凹槽或突起的表面积大于或等于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。

9.如权利要求8所述有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述红色有机发光二极管和所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积相等。

10.如权利要求8或9所述有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述凹槽的开口面积小于或等于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。

11.如权利要求8或9所述有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述突起的底面面积小于或等于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。

12.如权利要求8所述有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述凹槽为楔形、“W”字形或者半球形。

13.如权利要求8所述有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述突起为楔形、“M”字形或者半球形。

14.如权利要求8所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述凹槽的深度小于等于所述有机膜的厚度。

15.如权利要求8所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，在所述基板上形成有机膜步骤之前还包括：

在所述基板上形成多个薄膜晶体管；以及

在所述薄膜晶体管上形成钝化层。