[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法有效
申请号: | 201210526005.9 | 申请日: | 2012-12-07 |
公开(公告)号: | CN103268884A | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 熊志勇;赵本刚 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有源 矩阵 有机 发光二极管 面板 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及平板显示技术,特别涉及一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,AMOLED)面板不管是在画质、效能及成本上,都具有TFT LCD不可比拟的优势。在显示效能方面,AMOLED反应速度较快、对比度更高、视角也较广,而且AMOLED具有自发光的特色,因此不需要背光源,比TFT能够做的更轻薄,更省电。因此,AMOLED被称为下一代显示技术。
通常,如图1所示,AMOLED面板100包括:一基板101和形成于所述基板101上的多个像素102。所述像素102包括红色有机发光二极管1021、绿色有机发光二极管1022和蓝色有机发光二级管1023。通常,所述红色有机发光二极管1021、绿色有机发光二极管1022和蓝色有机发光二级管1023的面积相等。但是,通常蓝色有机发光二极管的寿命比较短,如图2所示,这是因为蓝色有机发光二极管的寿命与其电流密度有较强的相关性,电流密度越大其寿命越短,电流密度越小其寿命越长。为了延长蓝色有机发光二极管的寿命,通常将蓝色有机发光二极管1022的面积做大,降低其电流密度,以延长蓝色有机发光二极管寿命的目的,从而实现延长整个AMOLED的使用寿命。
但是,如图3所示,增大蓝色有机发光二极管的面积后,整个像素管102的面积也会增大,从而导致整个AMOLED面板的分辨率下降。也就是说,延长AMOLED的使用寿命,是以牺牲AMOLED面板的分辨率为代价的。
发明内容
本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法,以达到在分辨率不变的前提下,增大蓝色有机发光二极管的面积,从而提高整个AMOLED的使用寿命的目的。
为解决上述技术为题,本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管面板包括:
一基板;
形成于所述基板上的有机膜;
形成于所述有机膜上的多个红色有机发光二极管、绿色有机发光二极管和蓝色有机发光二极管;
其特征在于,所述有机膜与所述蓝色有机发光二极管相对应的区域形成有凹槽或突起,所述蓝色有机发光二极管形成于所述凹槽或突起上,所述凹槽或突起的表面积大于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。
可选的,所述红色有机发光二极管和所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积相等。
可选的,所述凹槽的开口面积小于或等于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。
可选的,所述凸起的底面面积小于等于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。
可选的,所述凹槽为楔形、“W”字形或者半球形。
可选的,所述突起为楔形、“M”字形或者半球形。
可选的,所述凹槽的深度小于等于所述有机膜的厚度。
相应的,本发明还提供一种所述有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法,包括:
提供一基板;
在所述基板上形成有机膜;
利用多灰阶掩膜版对所述有机膜进行曝光;
刻蚀去除部分有机膜,在所述有机膜上形成多个凹槽或突起;
在所述有机膜上形成多个红色有机发光二极管、绿色有机发光二极管和蓝色有机发光二极管;
其中,所述蓝色有机发光二极管形成于所述凹槽或突起上,所述凹槽或突起的表面积大于或等于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。
可选的,所述红色有机发光二极管和所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积相等。
可选的,所述凹槽的开口面积小于或等于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。
可选的,所述突起的底面面积小于或等于所述红色有机发光二极管或所述绿色有机发光二极管与所述有机膜相接触表面的面积。
可选的,所述凹槽为楔形、“W”字形或者半球形。
可选的,所述突起为楔形、“M”字形或者半球形。
可选的,所述凹槽的深度小于等于所述有机膜的厚度。
可选的,在所述基板上形成有机膜步骤之前还包括:
在所述基板上形成多个薄膜晶体管;以及
在所述薄膜晶体管上形成钝化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的