[发明专利]双向三极栅流体装置及其制造方法以及包含该装置的电路

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一P型衬底；

一N⁺掺杂埋层，邻近于该P型衬底而被设置；

一第一P型阱区，邻近于该N⁺掺杂埋层而被设置；

一第二P型阱区，邻近于该N⁺掺杂埋层而被设置；以及

一N型阱区，邻近于该N⁺掺杂埋层，且围绕该第一和该第二P型阱区，从而使该N型阱区的至少部分被安插于该第一和该第二P型阱区之间；

其中被安插于该第一和该第二P型阱区之间的该N型阱区的该部分包括一P型部分；

其中该第一P型阱包括第一、第二和第三N⁺掺杂板、第一和第二P⁺掺杂板、以及第一和第二栅极结构，该第一P⁺掺杂板邻近于该第一N⁺掺杂板而被设置，该第一栅极结构被安插于该第一和该第二N⁺掺杂板之间，该第二栅极结构被安插于该第二和该第三N⁺掺杂板之间，且该第二P⁺掺杂板邻近于该第三N⁺掺杂板而被设置；以及

更在其中该第二P型阱包括第四、第五和第六N⁺掺杂板、第三和第四P⁺掺杂板、以及第三和第四栅极结构，该第三P⁺掺杂板邻近于该第四N⁺掺杂板而被设置，该第三栅极结构被安插于该第四和该第五N⁺掺杂板之间，该第四栅极结构被安插于该第五和该第六N⁺掺杂板之间，且该第四P⁺掺杂板邻近于该第六N⁺掺杂板而被设置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该P型部分包括一第五P⁺掺杂板。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该P型部分包括一P型注入部分。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中更包括邻近于N型阱区而被设置的第一、第二和第三场氧化物(FOX)部分。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中该第一FOX部分更邻近于该第一P⁺掺杂板而被设置，该第二FOX部分更邻近于该P型部分而被设置且被安插于该第二和该第三P⁺掺杂板之间，而且该第三FOX部分更邻近于该第四P⁺掺杂板而被设置。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，更包括邻近于该N型阱区而被设置的一第四场氧化物(FOX)部分，其中该第一FOX部分更邻近于该第一P⁺掺杂板而被设置，该第二FOX部分更被安插于该第二和该第五P⁺掺杂板之间，该第三FOX部分更邻近于该P型部分和该第三P⁺掺杂板而被设置，而且该第四FOX部分更邻近于该第三P⁺掺杂板而被设置。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，更包括邻近于该多个FOX部分而被设置的场板。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极结构包括一多晶硅层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该N⁺埋层包括一N型外延层。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该N⁺埋层包括一深N型阱。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该N⁺埋层包括多个叠层的N⁺埋层。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中每一P型阱包括一叠层的P型阱和P⁺埋层。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该多个P型阱是通过P型注入而被制造。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该N型阱区是通过N型注入而被制造。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该双向BJT是通过一个双层多晶工艺而被制造。