[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：

基板，具有像素区域；

栅极线，位于基板上；

栅极电极，位于基板上且与栅极线相连；

栅极绝缘层，位于栅极线和栅极电极上；

数据线，位于栅极绝缘层上且与栅极线相交以界定像素区域；

源极电极和漏极电极，位于栅极绝缘层上且与栅极电极相对应，所述源极电极与数据线连接，所述漏极电极与源极电极间隔开；和

氧化物半导体层，位于源极和漏极电极的顶部上。

2.根据权利要求1的基板，还包括:

第一和第二粘接层，分别位于氧化物半导体层与源极和漏极电极之间，

其中所述源极和漏极电极的顶层包括铜和铜合金中的一种。

3.根据权利要求1的基板，其中所述源极和漏极电极中的每一个包括第一层及第一层上的第二层。

4.根据权利要求1的基板，其中所述源极和漏极电极之间的沟道区域不包括沟道区域顶部上的蚀刻阻止层。

5.根据权利要求3的基板，其中所述源极和漏极电极的底层包括钼和钼钛合金中的一种，顶层是铜或铜合金。

6.根据权利要求2的基板，其中所述第一和第二粘接层包括位于源极和漏极电极的顶层上的经过氮气等离子体处理的粘接层。

7.根据权利要求2的基板，其中所述第一和第二粘接层中的每一个包括氮化铜。

8.根据权利要求2的基板，其中所述第一和第二粘接层中的每一个包括氧化铟锡和氧化铟锌中的一种。

9.根据权利要求2的基板，其中所述第一粘接层部分覆盖源极电极的顶层，所述第二粘接层部分覆盖漏极电极的顶层。

10.根据权利要求2的基板，其中所述氧化物半导体层部分覆盖源极和漏极电极，使得第一和第二粘接层的上表面被氧化物半导体层完全覆盖。

11.根据权利要求2的基板，其中所述第一粘接层完全覆盖源极电极的顶层的上表面，所述第二粘接层完全覆盖漏极电极的顶层的上表面。

12.根据权利要求2的基板，还包括：

位于数据线上的第三粘接层。

13.根据权利要求1的基板，其中所述氧化物半导体层包括氧化铟镓锌、氧化锌锡和氧化锌铟中的一种。

14.根据权利要求1的基板，还包括：

钝化层，位于氧化物半导体层上且包括暴露漏极电极的漏极接触孔；和

像素电极，位于钝化层上和像素区域中，所述像素电极通过漏极接触孔接触漏极电极。

15.一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在具有像素区域的基板上形成栅极线；

在基板上形成与栅极线相连的栅极电极；

在栅极线和栅极电极上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成与栅极线相交以限定像素区域的数据线；

在栅极绝缘层上形成与栅极电极相对应的源极电极和漏极电极，所述源极电极与数据线相连，所述漏极电极与源极电极间隔开；以及

在源极和漏极电极的顶部上形成氧化物半导体层。

16.根据权利要求15的方法，还包括：

分别在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间形成第一和第二粘接层，

其中所述源极和漏极电极的顶层包括铜和铜合金中的一种。

17.根据权利要求15的基板，还包括：

在不使用沟道区域顶部上的蚀刻阻止层的情况下，在源极和漏极电极之间形成沟道区域。

18.根据权利要求16的方法，其中通过在源极和漏极的顶层上进行氮气等离子体处理来形成所述第一和第二粘接层。

19.根据权利要求16的方法，其中所述氧化物半导体层部分覆盖源极和漏极电极，使得第一和第二粘附层的上表面被氧化物半导体层完全覆盖。

20.根据权利要求15的方法，还包括：

在氧化物半导体层上形成钝化层，所述钝化层包括暴露漏极电极的漏极接触孔；

在钝化层上和像素区域中形成像素电极，所述像素电极通过漏极接触孔接触漏极电极。