[发明专利]一种太阳能电池的制绒方法在审
申请号: | 201210528389.8 | 申请日: | 2012-12-10 |
公开(公告)号: | CN103872172A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 王兆祥;邱达燕;倪图强;苏兴才 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/12 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种太阳能电池的制绒方法。
背景技术
目前,在制作太阳能电池的过程中,通常将硅片放置在电容耦合式的等离子体处理腔室的反应腔的下电极,通过在下电极或与其对应设置的上电极之间形成电场,将引入反应腔的反应气体电离形成其等离子体。或是在电感耦合等离子体处理腔室的反应腔的顶板外侧设置若干线圈,通入交变电流后产生一个感应电场,将引入的反应气体解离形成其等离子体。
通过该反应气体的等离子体对硅片进行制绒,即去除硅片表面由于之前机械切割等产生的损伤,去除表现的杂志金属离子,并在单晶硅表面形成金字塔形的绒面,而在多晶硅上形成凹坑状的绒面,以减少光的反射率,增强对太阳光的吸收,并提高光生电流密度,最终提高太阳能电池的光电转换效率。
当将射频电压施加到所述上电极或下电极上时,会对应在贴近上电极或下电极表面的位置形成等离子体鞘层(sheath),类似的等离子体鞘层也对应形成在所述线圈下方的反应腔内。由于等离子体中质量较轻的店子响应射频电压的变化,会在等离子体鞘层中形成直流自偏压,并对入手到硅片表面的等离子体中的粒子能量分布进行控制。
理想的太阳能电池表面(即绒面)是金字塔形,并且在其表面还覆盖有一层均匀的保护层。在太阳能电池制程过程中,一般同时输入刻蚀气体、侧壁保护气体以及调制气体,以便刻蚀出金字塔形。然而,由于气体同时输入,同时刻蚀和侧壁形成效果会相互抵消。
因此,业内需要一种太阳能电池的制绒制程,其能够形成效果较好的金字塔图形。
发明内容
针对背景技术中的上述问题,本发明提出了一种太阳能电池的制绒方法。
本发明提供了一种太阳能电池的制绒方法,将基片放置于等离子体处理腔室中进行制程,其中,所述制绒方法包括:
向腔室内部通入反应气体和侧壁保护气体;
同时对所述基片表面进行刻蚀和侧壁保护,并在上述制程中施加脉冲式偏置射频电压,以形成绒面。
进一步地,所述反应气体包括SF6、CF4、NF3、SiF4、CF3Br、Cl2。
进一步地,所述侧壁保护气体包括O2、N2O、O3。
进一步地,所述方法还包括如下步骤:向腔室内部通入调制气体。
进一步地,所述调制气体包括CHF3。
进一步地,所述脉冲频率小于50khz。
进一步地,所述脉冲式偏置射频电压的占空比为10%~90%。
进一步地,所述等离子体处理腔室的射频功率源频率为10mhz~120mhz。
进一步地,所述脉冲式偏置射频电压包括多个功率级。
进一步地,所述脉冲式偏置射频电压包括两个功率级。
本发明提供的太阳能电池的制绒方法能够形成较好的表面金字塔绒面。
附图说明
图1是等离子体处理腔室的结构示意图;
图2是太阳能电池表面的绒面放大示意图;
图3是本发明的脉冲式偏置射频电压的波形曲线图。
具体实施方式
以下结合附图,对本发明的具体实施方式进行说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的