[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

布线；

在布线附近的第一区域处形成的第一虚拟导体图形；以及

第二虚拟导体图形，其形成在与第一区域相比距布线较远的第二区域处，

其中在第一区域中的数据比率小于在第二区域中的数据比率，以及

所述布线、所述第一虚拟导体图形和所述第二虚拟导体图形在相同层中形成。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中，高频信号流经所述布线。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中，具有5GH_Z或更高的频率的频率信号流经所述布线。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中，所述布线包含电感器。

5.根据权利要求1的半导体器件，其中，所述第一虚拟导体图形以矩阵状态布置。

6.一种半导体器件，包括：

互连导体；

布置在所述互连导体周围的多个第一虚拟导体图形；以及

布置在所述第一虚拟导体图形周围的多个第二虚拟导体图形，

其中在所述第一虚拟导体图形所位于的第一区域中的数据比率小于在所述第二虚拟导体图形所位于的第二区域中的数据比率，以及

所述互连导体、所述第一虚拟导体图形和所述第二虚拟导体图形在相同层中形成。

7.根据权利要求6的半导体器件，其中，高频信号流经所述互连导体。

8.根据权利要求6的半导体器件，其中，具有5GH_Z或更高的频率的频率信号流经所述互连导体。

9.根据权利要求6的半导体器件，其中，所述互连导体包含电感器。

10.根据权利要求6的半导体器件，其中，所述第一虚拟导体图形以矩阵状态布置。

11.一种半导体器件，包括：

电感器；

在所述电感器的内部区域中形成的第一虚拟导体图形；以及

在所述电感器的外部区域中形成的第二虚拟导体图形，

其中，所述电感器、所述第一虚拟导体图形和所述第二虚拟导体图形在相同层中形成，

所述内部区域的数据比率小于所述外部区域中的数据比率，以及

所述第一虚拟导体图形被所述电感器包围。

12.根据权利要求11的半导体器件，其中，高频信号流经所述电感器。

13.根据权利要求11的半导体器件，其中，具有5GHz或更高的频率的频率信号流经所述电感器。

14.根据权利要求11的半导体器件，其中，所述第一虚拟导体图形以矩阵状态布置。