[发明专利]半导体器件

说明书

本申请是申请人于2008年1月29日提交的申请号为200810008603.0，题为“半导体器件”专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件。

背景技术

图9是示出现有技术（例如，见JP2005-310807 A）的半导体器件的平面图。在半导体器件100中，在布线101附近形成矩形虚拟导体图形102。设置虚拟导体图形102以便在生产半导体器件100时能容易地加工布线101。另外，布线101起到电感器的作用。

要注意，与本发明有关的现有技术文献包括除了JP 2005-310807A之外，还有JP 2005-285970 A及Ali Hajimiri et al.,“Design Issues inCMOS Differential LC Oscillators”,IEEE JOURNAL OF SOLID-STATECIRCUIRTS,VOL.34,No.5,May 1999,pp.717-724。

本发明者已经认识到如下情况。在图9中示出的半导体器件100中在高频电流流经布线101的情况下，引起下列问题。即，如图10所示，通过由布线101生成的磁场，在位于布线101附近的每一虚拟导体图形102中生成涡旋电流。图10是由图9的点划线围绕的放大部分的平面图。由图10的箭头A1代表流经布线101的电流的方向，并且由图10的箭头A2代表在虚拟导体图形102内流动的涡旋电流的方向。

根据楞次（Lentz`s）定律，当如上所述生成了涡旋电流时，沿由布线101生成的磁场偏置的方向生成了磁场。因此，布线101的电路常数波动，其导致布线101的传输特性的不稳定。当具有5GHz或更高频率的电流流经布线101时，该问题变得突出。

发明内容

根据本发明的一个方面的半导体器件包括：布线；在布线的附近形成的第一虚拟导体图形，其中每一第一虚拟导体图形的平面形状等同于具有大于180°的内角的形状。

在该半导体器件中，以平面图来看，在布线附近形成的每一第一虚拟导体图形具有大于180°的内角。该内角的存在导致增加了第一虚拟导体图形的形状的复杂性。在流经布线的信号为高频信号的情况下，由于趋肤效应，所以其电流密度随着电流密度更靠近导体表面而增加。因此，第一虚拟导体图形的外形的复杂性有效地抑制了在图形内的涡旋电流的流动。结果，涡旋电流的幅度降低，由此布线的电路常数的波动能被抑制到低水平。

根据本发明的另一方面的半导体器件包括互连导体和布置在所述互连导体周围的多个虚拟导体图形，每一虚拟导体图形具有包括至少一个凹陷的多边形，所述至少一个凹陷被设置在多边形的周界的一部分处。

在半导体器件中，布置在所述互连导体周围的每一虚拟导体图形具有包括至少一个凹陷的多边形，所述至少一个凹陷被设置在多边形的周界的一部分处。被设置在多边形的周界的一部分处的凹陷的存在导致增加了虚拟导体图形的形状的复杂性。在流经互连导体的信号为高频信号的情况下，由于趋肤效应，所以其电流密度随着电流密度更靠近导体表面而增加。因此，第一虚拟导体图形的外形的复杂性有效地抑制了在图形内的涡旋电流的流动。结果，涡旋电流的幅度减小，由此能将电感器的电路常数的波动抑制到低水平。

根据本发明，能实现能够改善布线传输特性的稳定性的半导体器件。

附图说明

结合附图，根据下面某些优选实施例的描述本发明的上述和其它的目的、优点和特征将更加清晰，其中：

附图1是示出根据本发明实施例的半导体器件的平面图；

附图2是示出在布线附近形成的虚拟导体图形的平面图；

附图3是用于解释图2的虚拟导体图形的平面形状的平面图；

附图4是示出根据本发明的改进例的虚拟导体图形的平面图；

附图5是示出根据本发明另一改进例的虚拟导体图形的平面图；

附图6是用于解释图5的虚拟导体图形的平面形状的平面图；

附图7是示出根据本发明的又一改进例的虚拟导体图形的平面图；

附图8是示出被加工后的图4的虚拟导体图形的形状的例子的平面图；

附图9是示出现有技术的半导体器件的平面图；及

附图10是用于解释现有技术的半导体器件的问题的平面图。

附图11是示出根据本发明的改进实施例的半导体器件的平面图。

附图12是示出根据本发明的另一改进实施例的半导体器件的平面图。

具体实施方式