[发明专利]垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210532877.6 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102983171A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王颖;单婵;曹菲;胡海帆 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 无结环栅 mosfet 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.垂直无结环栅MOSFET器件的结构为：包括底层n型硅晶圆衬底（101），漏区（111）位于器件的最低端；其特征是：在n型硅晶圆衬底（101）上外延生长漏扩展区（106），沟道区（107），和源区（108），栅氧化层（109）包围整个沟道区（107），在栅氧化层（109）上淀积多晶硅栅（110），所述漏扩展区（106）、沟道区（107）、源区（108）和漏区（111）的掺杂类型与浓度相同，均为n+掺杂，掺杂浓度为1×1019~8×1019cm-3；所述多晶硅栅（110）为p+掺杂，掺杂浓度为5×1019cm-3。
2.根据权利要求1所述的制作垂直无结环栅MOSFET器件的方法，其特征在于，所述沟道区（107）沟道长度为10~20nm。
3.根据权利要求1所述的制作垂直非对称环栅MOSFET器件的方法，其特征在于，所述沟道区（107）成圆柱体，所述多晶硅栅（110）和栅氧化层（109）成圆环状。
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