[发明专利]移位寄存器单元、阵列基板栅极驱动装置及显示设备有效

专利信息
申请号: 201210533694.6 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN103000155A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 马占洁 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G11C19/28
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 移位寄存器 单元 阵列 栅极 驱动 装置 显示 设备
【权利要求书】:

1.一种移位寄存器单元,其特征在于,该移位寄存器单元包括输入模块、第一输出控制模块、第一输出模块、第二输出控制模块、第二输出模块;其中,

所述输入模块响应于第一时钟信号,用于将输入信号提供给第一输出控制节点;

所述第一输出控制模块响应于第一输出控制节点的信号和第一功率电压,用于将第二功率电压提供给第一输出控制节点;

所述第一输出模块响应于第一输出控制节点的信号,用于将第二时钟信号提供给输出端子;

所述第二输出控制模块响应于第一输出控制节点的信号和第一功率电压,将第三功率电压或者输入信号输出给第二输出控制节点;

所述第二输出模块响应于第二输出控制节点的信号,用于将第二功率电压提供给输出端子。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述输入模块包括第一薄膜晶体管,其栅极连接第一时钟信号,源极连接起始信号,漏极连接第一输出控制节点。

3.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述第一输出控制模块,包括:第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管;其中,

第二薄膜晶体管的栅极连接第一输出控制节点,漏极连接第一功率电压,源极连接第三薄膜晶体管的漏极;

第三薄膜晶体管的栅极和源极连接第一功率电压,漏极连接第四薄膜晶体管的栅极;

第四薄膜晶体管的源极连接第一输出控制节点,漏极连接第二功率电压。

4.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述第一输出模块,包括:

第五薄膜晶体管,其栅极连接第一输出控制节点,源极连接第二时钟信号,漏极连接输出端子;

电容,其第一端连接第一输出控制节点,第二端连接输出端子。

5.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述第二输出控制模块,包括:

第六薄膜晶体管,其栅极连接第一输出控制节点,漏极连接起始信号,源极连接第二输出控制节点;

第七薄膜晶体管,其栅极和源极连接第一功率电压,漏极连接第二输出控制节点。

6.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述第二输出模块包括第八薄膜晶体管,其栅极连接第二输出控制节点,源极连接输出端子,漏极连接第二功率电压。

7.根据权利要求2~6任一权利要求所述的移位寄存器单元,其特征在于,

所有薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管,所述第一功率电压低于所述第二功率电压,所述第三功率电压低于所述第一功率电压;或者,

所有薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管,第一功率电压高于第二功率电压,所述第三功率电压高于第一功率电压。

8.一种阵列基板栅极驱动装置,包括级联的各级移位寄存器单元,其中,

第一级移位寄存器单元的输入信号端连接起始信号,第一级移位寄存器单元的输出端子连接第二级移位寄存器单元的输入信号端;其余每一级移位寄存器的输入信号端连接上一级移位寄存器单元的输出端子,每一级移位寄存器的输出端子连接下一级移位寄存器单元的输入信号端;其特征在于,所有级联的移位寄存器单元均为权利要求1~7任一权利要求所述的移位寄存器单元。

9.一种显示设备,其特征在于,所述装置包括如权利要求8所述的阵列基板栅极驱动装置。

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