[发明专利]移位寄存器单元、阵列基板栅极驱动装置及显示设备有效

专利信息
申请号: 201210533694.6 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN103000155A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 马占洁 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G11C19/28
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 移位寄存器 单元 阵列 栅极 驱动 装置 显示 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶技术领域,尤其涉及一种移位寄存器单元、阵列基板栅极驱动装置及显示设备。

背景技术

多数平板显示中要用到移位寄存器,通过将栅极驱动装置整合于液晶面板(gate on array,GOA)方法实现的移位寄存器,即可以省去栅极驱动IC,还能减少一道制作工序,因此不但降低了平板显示器的制作成本,一定程度上还缩短了制作周期。所以近几年来GOA技术被广泛应用于平板显示制造。

目前很多技术方案中的移位寄存器均存在悬空节点的问题,例如,图1是目前存在的一种简单三时钟信号(CLK1、CLK2和CLK3)控制的移位寄存器单元的结构,其中所有薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管TFT,且所有P型TFT均为高电平时断开,低电平时开启。图2是图1所示的移位寄存器单元工作的信号时序图。该结构的工作原理如下:

当第一时钟信号CLK1和起始信号STV变成低电平开启时,薄膜晶体管T3开启,STV信号通过T3传输到薄膜晶体管T1的栅极端,并且通过电容C01保持。同时由STV控制的薄膜晶体管T5开启,将高电平断开信号Vgh传输到薄膜晶体管T2的栅极端,使T2关闭,输出端节点电位不稳定。当CLK2变成低电平开启信号后,薄膜晶体管T1通过C01保持的开启电位将CLK2的低电平信号传输到输出端子Output。之后是CLK3信号变成低电平开启信号,薄膜晶体管T6开启,将低电平开启信号Vgl传输到薄膜晶体管T2和T4的栅极,使得T2和T4都开启,T2的开启将Vgh信号传输到Output,T4的开启将Vgh信号传输到T1的栅极,使T1栅极电位变高,从而断开T1。

上述结构中有三个不足之处:

(1)信号充电前,所有悬空节点电位不确定,易造成最初信号写入时,对写入信号的干扰;

(2)当第一阶段CLK1和STV开启时,断开信号Vgh通过T5输入到T2的栅极端,使T2断开,此时移位寄存器输出端子Output信号需由T1的输出来确定,而此时T1输出能力受其栅极电位大小影响,输出信号较差,影响Ouput效果。

(3)在CLK2低压开启时,T2和T4的栅极信号端信号悬空,电位不稳定,影响T2的输出信号。

因此,现有技术中悬空节点的问题,易成为移位寄存器单元工作时不确定不稳定的因素。

发明内容

本发明实施例提供了一种移位寄存器单元、阵列基板栅极驱动装置及显示设备,用以消除移位寄存器单元中存在的悬空节点,提高移位寄存器单元输出的稳定性。

本发明实施例提供的一种移位寄存器单元,包括:输入模块、第一输出控制模块、第一输出模块、第二输出控制模块、第二输出模块;其中,

所述输入模块响应于第一时钟信号,用于将输入信号提供给第一输出控制节点;

所述第一输出控制模块响应于第一输出控制节点的信号和第一功率电压,用于将第二功率电压提供给第一输出控制节点;

所述第一输出模块响应于第一输出控制节点的信号,用于将第二时钟信号提供给输出端子;

所述第二输出控制模块响应于第一输出控制节点的信号和第一功率电压,将第三功率电压或者输入信号输出给连接第二输出控制节点;

所述第二输出模块响应于第二输出控制节点的信号,用于将第二功率电压提供给输出端子。

本发明实施例提供的一种阵列基板栅极驱动装置,包括级联的各级移位寄存器单元,其中,

第一级移位寄存器单元的输入信号端连接起始信号,第一级移位寄存器单元的输出端子连接第二级移位寄存器单元的输入信号端;其余每一级移位寄存器的输入信号端连接上一级移位寄存器单元的输出端子,每一级移位寄存器的输出端子连接下一级移位寄存器单元的输入信号端;其中所有级联的移位寄存器单元均为上述的移位寄存器单元。

本发明实施例提供的一种显示设备,包括上述的阵列基板栅极驱动装置。

本发明实施例提供的一种移位寄存器单元及阵列基板栅极驱动装置,通过第一输出控制模块和第二输出控制模块分别对第一输出模块和第二输出模块的输出控制,消除了移位寄存器单元结构中存在的悬空节点,提高了移位寄存器的稳定性。

附图说明

图1为现有技术中的一种移位寄存器单元的结构示意图;

图2为图1所示的移位寄存器单元的各信号端的时序图;

图3为本发明实施例提供的一种移位寄存器单元的结构示意图;

图4为图3所示的结构各信号端的时序图;

图5为本发明实施例提供的另一种移位寄存器单元的结构示意图;

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