[发明专利]覆晶封装晶片结合平台温度稳定治具有效
申请号: | 201210534300.9 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103871834A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 张宏伟 | 申请(专利权)人: | 颀中科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/56 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 晶片 结合 平台 温度 稳定 | ||
技术领域
本发明涉及电子半导体领域,尤其涉及一种半导体覆晶封装治具。
背景技术
目前,液晶显示器发展迅速,高清、高频显示器已进入主流市场,作为液晶显示器的重要模块组成的覆晶封装晶片也面临升级和换代,应运而生的微间距覆晶封装晶片具有尺寸小,输出信号多等优点而得到快速发展,微间距覆晶封装晶片已经成为显示器驱动芯片的主导。
微间距覆晶封装对精度要求极高,软性基板的涨缩会造成晶片偏移甚至是产品的报废,降低软性基板的涨缩成为提升产品品质的重要方法之一。
传统控制覆晶封装晶片软性基板涨缩的方法为:一,结合平台自身加温,将软性基板涨开到合理的值。二,结合平台内部吹风降温,将软性基板缩进到合理的值。
普通温控系统是通过结合平台自身升降温度来控制软性基板的涨缩,结合平台自身加热升高温度将软性基板涨开以及结合平台内部吹风降低温度将软性基板缩进,但结合平台现有的降温系统无法快速将温度稳定,即反应存在滞后性,因而无法及时控制软性基板的涨缩,导致部分覆晶结合精度出现偏移,影响产品品质。
因此有必要提供一种新的结合平台温度稳定治具来解决上述问题。
发明内容
本发明涉及一种可快速稳定结合平台温度的治具。
为达到上述发明目的,本发明提供了一种覆晶封装晶片结合平台温度稳定治具,其设于结合平台一侧,包括一治具支架,其上设一吹气管,所述吹气管具有一进气口及一出气口。
作为本发明的进一步改进,所述出气口口径小于进气口口径。
作为本发明的进一步改进,所述出气口为若干个出气口组成。
作为本发明的进一步改进,所述吹气管通过一连接头与所述出气口相连。
作为本发明的进一步改进,所述治具支架上设一吹气管固定螺丝孔,所述连接头设有一通孔,一螺丝通过所述通孔将连接头固定于吹气管固定螺丝孔。
作为本发明的进一步改进,所述吹气管固定螺丝孔为一椭圆形,所述螺丝可沿所述椭圆形螺丝孔移动。
作为本发明的进一步改进,所述治具支架包括一上支架及一下支架,所述上支架设有支架固定螺丝孔,所述下支架上设有与上支架对应的支架固定螺丝孔。
作为本发明的进一步改进,还包括一治具安装基座,所述治具支架安装于所述治具安装基座之上。
与现有技术相比,本发明所提供的覆晶封装晶片结合平台温度稳定治具,能够对结合平台外表面进行降温,与结合平台自身温控系统共同作用,使整个系统处在设定的温度状态,对温度控制更迅速,能够更及时地控制软性基板的涨缩,对覆晶结合精度提供有力的保证,尤其对微间距软性基板覆晶封装有明显效果,能提高产品品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的有关本发明的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明覆晶封装晶片结合平台温度稳定治具一实施例立体图;
图2为本发明覆晶封装晶片结合平台温度稳定治具一实施例俯视图;
图3为本发明覆晶封装晶片结合平台温度稳定治具一实施例之出气口示意图。
其中,附图标记为:
结合平台,10;上支架,20;下支架,21;支架固定孔,22;吹气管固定孔,23;基座固定孔,24;吹气管,30;进气口,31;出气口,32;连接头,33,吹气管固定螺丝孔,34;治具安装基座,40。
具体实施方式
以下将结合附图所示的各实施例对本发明进行详细描述。但这些实施例并不限制本发明,本领域的普通技术人员根据这些实施例所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
参图1至图3所示,本实施例的覆晶封装晶片结合平台温度稳定治具,其设于结合平台10一侧,包括一治具支架,其上设一吹气管30,所述吹气管30具有一进气口31及一出气口32。所述治具支架分为上支架20和下支架21,上支架20设有一组支架固定孔22,下支架21设有若干组与上支架固定孔22相对应的支架固定孔,这样,可选择将上支架20固定于下支架21上的若干组固定孔中的一组,达到调节治具高度的目的。
出气口32为一组出气口,其口径小于进气口31的口径,利用口径差异,可以使出气口32的吹风压力变大,对结合平台进行快速有效的降温。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造