[发明专利]一种高集成度功率薄膜混合集成电路的集成方法

权利要求书

1. 一种高集成度功率薄膜混合集成电路的集成方法，其特征在于该方法是采用底座有垂直凸起金属薄片的凸形管基代替传统的平面形管基，在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片和片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体与底座绝缘的通孔进行电气连接；先采用溅射或蒸发的方式，在陶瓷基片上形成一层镍-铬合金电阻薄膜，薄膜厚度由产品要求的方块电阻进行控制；接着再用同样的方式形成一层金属薄膜，金属薄膜的厚度由通过的电流密度进行确定；然后，按产品设计的图形对电阻薄膜、金属薄膜进行光刻和选择性腐蚀，即得到所需的薄膜图形；再经激光调阻和划片分离后，即得到所需的水平贴装基片及垂直贴装基片；再采用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上，最后采用薄膜混合集成的方式，在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。

2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于所述镍-铬合金电阻薄膜中Ni与Cr的质量配比是80％∶20％。

3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于所述通孔由绝缘陶瓷和两端面镀镍或镀金的金属导体组成，金属导体在中心，绝缘陶瓷包住该金属导体；通孔位于凸形管基的凸起部分。