[发明专利]掩模板、曝光系统和曝光方法

权利要求书

1.一种掩模板，所述掩膜板包括透光区域和不透光区域，其特征在于，所述透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应，所述不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域，所述反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述反射区域位于所述掩膜板远离第一基板方向的一侧。

3.一种曝光系统，其特征在于，包括掩膜板和设置在所述掩膜板上方的主反射结构，所述掩膜板包括透光区域和不透光区域，所述透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应，所述不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域，所述反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应；

在曝光光线照射所述掩膜板，穿过掩膜板的透光区域对第一基板进行曝光时，所述掩膜板的反射区域反射曝光光线至所述主反射结构，所述主反射结构将所述反射区域反射来的光线再反射至第二基板的待曝光区域对第二基板进行曝光。

4.根据权利要求3所述的曝光系统，其特征在于，所述系统还包括：

从反射结构，用于接收主反射结构反射的光线，并反射至所述第二基板的待曝光区域。

5.根据权利要求4所述的曝光系统，其特征在于，所述系统还包括：

主基台，用于承载第一基板；

光源，用于提供曝光光线；

从基台，用于承载第二基板。

6.根据权利要求4所述的曝光系统，其特征在于，所述经从反射结构反射后照射到第二基板的待曝光区域上的曝光光线为垂直入射。

7.根据权利要求4所述的曝光系统，其特征在于，所述主反射结构的反射面与所述从反射结构的反射面相垂直。

8.根据权利要求5所述的曝光系统，其特征在于，所述主基台与所述主反射结构的反射面之间的夹角γ为45°。

9.根据权利要求4所述的曝光系统，其特征在于，所述系统还包括：

设置在所述从反射结构和所述第二基板之间的UM透镜系统。

10.根据权利要求3所述的曝光系统，其特征在于，所述系统还包括：

设置在所述第一基板和所述掩膜板之间的UM透镜系统。

11.根据权利要求3所述的曝光系统，其特征在于，所述主反射结构包括透射板和形成在所述透射板上的反射膜层，所述反射膜层用于反射掩膜板反射区域反射来的光线。

12.一种曝光方法，其特征在于，利用如权利要求3至11任一所述的曝光系统对基板进行曝光，所述曝光方法包括：

在利用所述掩膜板对第一基板曝光的同时，利用所述掩膜板的反射区域反射的曝光光线对第二基板进行曝光。